GaN HFET的性能退化.pdfVIP

维普资讯 纳米器件与技术 NanoelectronicDevice Technology GaNHFET的性能退化 薛舫 时 (南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京 210016) 摘要：在综述大功率A1GaN／GaNHFET性能退化实验结果的基础上，研究了器件退化与 电流崩 塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道 中强电场和热电子分布 的研究，完善 了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一模型解释 了实验 中观察到的 各类性能退化现象，指出优化设计异质结构可以有效减弱 GaNHFET的性能退化。最后提 出减 弱器件性能退化 的方法和途径 。 关键词：CaNHFET；性能退化；退化机理；沟道中的强场峰 ；热 电子；能带剪裁；极化 电荷 ； 电流崩塌 中图分类号：TN386；TN304．23 文献标识码 ：A 文章编号：1671．4776 (2007)l1．0976．09 PerformanceDegradationsinGaN HFET XUEFang—shi (Na~ondKeyLaboratoryofMonolithicIntegratedCircuitsandModulesNanjingElectronicDevicesInstitute，N~#ing210016，China) Abstract：From naalyzingtheexperimentsforperformancedegradation in A1GaN／GaN HFET,the relationshipbetweendergadationandcurrentcollapsewasinvestigated．Themeritsnaddeficienciesofr variousdegradationmechanismswerenaalyzedand compared．Th roughtheinvestigationofrelectric fieldandhotelectronprofileinchnanel，adegradationmechanism oftrapsinducedbyhotelectronsat hihg electricfieldwasperfected．Variousperfomrancedergadationsobserved inexperimentsare explainedbyusingthisdergadationmechanism，from whichanew design toweakentheperformance dergadationinGaN HFETthroughoptimizationofheterostructureisestablishde．Atlastvariousmeans toimprovehtereliba ilityofGaNHFETwereproposed． Keywords：GaN HFET；perfomr ancedergadation；degradationmechanism；high electricfieldpeakin channel；energybnadtailoring；polarizationchrage；currentcollapse EEACC：2560S；2520D；2550E l 引 言 HFET显著增大了输 出功率，最高的器件输出功率 密度 已超过 40W／mm ”【，比GaAs。InPHEMT器 A1GaN／GaN异质界面上的大能带带阶和强极