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第六章 电子束和离子束加工 第一节 电子束加工第二节 离子束加工 第一节 电子束加工 一、电子束加工的原理和特点二、电子束加工装置三、电子束加工的应用 一、电子束加工的原理和特点 (一) 电子束加工的原理(二) 电子束加工的特点 (二) 电子束加工的特点 1) 由于电子束能够极其微细地聚焦,甚至能聚焦到0.1μm,所以加工面积可以很小,是一种精密微细的加工方法。2) 电子束能量密度很高,使照射部分的温度超过材料的熔化和气化温度,去除材料主要靠瞬时蒸发,是一种非接触式加工,工件不受机械力作用,不产生宏观应力和变形。3) 电子束的能量密度高,因而加工生产率很高,例如,每秒钟可以在2.5mm厚的钢板上钻50个直径为0.4mm的孔。4) 可以通过磁场或电场对电子束的强度、位置、聚焦等进行直接控制,所以整个加工过程便于实现自动化。5) 由于电子束加工是在真空中进行,因而污染少,加工表面不会氧化,特别适用于加工易氧化的金属及合金材料,以及纯度要求极高的半导体材料。6) 电子束加工需要一整套专用设备和真空系统,价格较贵,生产应用有一定局限性。 图6-1 电子束加工原理1—工件 2—电子束 3—偏转线圈4—电磁透镜 二、电子束加工装置 (一) 电子枪(二) 真空系统(三) 控制系统和电源 6Z2.tif 6Z3.tif 图6-4 电子束的应用范围1—淬火硬化 2—熔炼 3—焊接 4—打孔 5—钻、切割6—刻蚀 7—升华 8—塑料聚合 9—电子抗蚀剂10—塑料打孔 三、电子束加工的应用 (一) 高速打孔(二) 加工型孔及特殊表面(三) 刻蚀(四) 焊接(五) 热处理(六) 电子束光刻 图6-5 电子束加工的喷丝头异形孔 图6-6 电子束加工曲面、弯孔1—工件 2—电子束 图6-7 电子束曝光加工过程a) 电子束曝光 b) 显影 c) 蒸镀 d) 离子刻蚀 e)、f) 去掉抗蚀剂,留下图形1—电子束 2—电致抗蚀剂 3—基板 4—金属蒸气 5—离子束 6—金属 第二节 离子束加工 一、离子束加工原理、分类和特点二、离子束加工装置三、离子束加工的应用 一、离子束加工原理、分类和特点 (一) 离子束加工的原理和物理基础(二) 离子束加工分类(三) 离子束加工的特点 (二) 离子束加工分类 1) 离子刻蚀是用能量为0.5~5keV一的氩离子倾斜轰击工件,将工件表面的原子逐个剥离。2) 离子溅射沉积也是采用能量为0.5~5keV的氩离子,倾斜轰击某种材料制成的靶,离子将靶材原子击出,垂直沉积在靶材附近的工件上,使工件表面镀上一层薄膜,如图6-8b所示。3) 离子镀也称离子溅射辅助沉积,是用0.5~5keV的氩离子,不同的是在镀膜时,离子束同时轰击靶材和工件表面,如图6-8c所示。4) 离子注入是采用5~500keV较高能量的离子束,直接垂直轰击被加工材料,由于离子能量相当大,离子就钻进被加工材料的表面层,如图6-8d所示。 图6-8 各类离子束加工示意图a) 离子刻蚀 b) 溅射沉积 c) 离子镀 d) 离子注入1—离子源 2—吸极(吸收电子,引出离子)3—离子束 4—工件 5—靶材 (三) 离子束加工的特点 1) 由于离子束可以通过电子光学系统进行聚焦扫描,离子束轰击材料是逐层去除原子,离子束流密度及离子能量可以精确控制,所以离子刻蚀可以达到纳米(0.001μm)级的加工精度。2) 由于离子束加工是在高真空中进行,所以污染少,特别适用于对易氧化的金属、合金材料和高纯度半导体材料的加工。3) 离子束加工是靠离子轰击材料表面的原子来实现的。4) 离子束加工设备费用贵,成本高,加工效率低,因此应用范围受到一定限制。 二、离子束加工装置 (一) 考夫曼型离子源(二) 双等离子体型离子源 6Z9.tif 6Z10.tif 三、离子束加工的应用 (一) 刻蚀加工(二) 镀膜加工(三) 离子注入加工 表6-1 典型刻蚀率 靶材料 刻蚀率/nm·mi 靶材料 刻蚀率/nm·mi 靶材料 刻蚀率/nm·mi SiAsGaAgAuPt 36260200160120 NiAlFeMoTi 5455324010 图6-11 离子束加工非球面透镜原理1、6—回转轴 2、4—离子束3—工件 5—摆动轴 图6-12 离子束精密蚀刻微细槽线实例a)动压马达止推板上的弯槽(材料钢结硬质合金GT35) b)陀螺轴上的斜槽 图6-13 空心阴极放电离子镀装置示意图1—电子束 2—电子枪 3—空心阴极4—基板台 5—基板 6—蒸发物 表6-2 离子注入金属样品 注 入 目 的 离 子 种 类 能量/keV 剂量/离子·c 耐腐蚀 B、C、Al、Ar、Cr、Fe、
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