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SRAM型FPGA带刷的新分层三模冗余技术容错分析.pdf
--
ISS 1002
N 4956
. . . . . . . .. . . . . . . . . . . . , . . 。 . . . . . . . . . . . . .. . — — 第 29卷 第 11期 2012年 11月
CN11—2034/T V01.29 No.11 NOV.2O12
SRAM型 FPGA带刷的新分层三模
冗余技术容错分析
张 硕 ,伊小素 ,孙进辉 ,张 倩
(1.北京航空航天大学 光 电技术研 究所 ,北京 100191;
2.武警学院 训练部实验教学管理 中心,河北 廊坊 065000)
验实mp蓦㈣e【
摘 要 :SRAM型 FPGA(fieldprogrammablegatearray)因为其具有信息密度大、性能高、开发成本低 、可重
复编程等特性,受到航天电子方面设计者青睐,越来越多地被应用于需要高可靠性的复杂空间环境 。然而 ,
相 比于传统的ASIC电路设计 ,由于 FPGA对辐射 的潜在敏感性,易引发单粒子翻转效应 (single—eventup—
技 sets,sEus),甚至可能造成系统失效 。该文提出一种全新 的三模冗余技术 (triplemodularredundancy,TMR)
来削弱空间粒子对 FPGA的影响,这项技术可 以减轻 FPGA 中采用映射设计 的配置位受到 sEus的影响。
术山
通过逐位翻转故 障注入实验验证显示 ,相对于传统 的TMR设计 ,采用该新技术防护的 FPGA 中易收到 SEUs
与
d
影 响的配置位减少 了 87 。
理管№a蚪 关键词 :FPGA;单粒子翻转 ;分层三模冗余
中图分类号 :TP302.8 文献标志码 :A 文章编号:1002—4956(2012)11—0044-06
e
Single-eventupsetsfauk-tolerantmethodforSRAM-basedFPGA
ZhangShuo ,YiXiaosu ,SunJinhui,ZhangQian
(1.InstituteofOpticsandElectronics,BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Beijing100191,China;
2.TrainingDepartment,ArmedPoliceAcademy,Langfang065000,China)
Abstract:SRAM—basedFPGAsarebecomingveryappealingforseveralapplicationswherehighdependability
isamandatoryrequirement.Unfortunate1y,comparedtoASIC designs,thetechnologyofSRAM—basedFP—
GAsisverysensitivetosingle—eventupsets(SEUs)andparticularconcernsarisefrom SEU saffectingtheFP—
GAs’configurationmemory.Thispaperproposesanew TMR methodformitigatingtheimpac
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