ZnO及掺杂ZnO薄膜的研究进展.pdfVIP

维普资讯 综述专论 SCIENCE＆TECHNOI()(；Y化IN工C科H技EM，20IC0A8．I16IN(2D)U：6S0q~、R6Y4 ZnO及掺杂 ZnO薄膜的研究进展 赵跃智 ，张 俊 ，丁世敬。 (1．洛阳理工学院材料系．河南 洛阳 17l023；2．中国人 民解放军 6lt89部队，河南 洛阳471023) 摘 要：ZnO薄膜是一种 Ⅱ～Ⅵ族的宽禁带半导体材料，具有优异的物理化学性能。通过对薄膜的 掺杂，可以改善其性能或赋予其新的性能，使其应用更加广泛。作者综述了ZnO薄膜的制备方法，比较 了各种制备方法的优缺点，重点探讨 了ZnO及其掺杂薄膜在压电、光电、气敏及磁性能方面的研究，并 对今后的研究方向进行 了展望 。 关键词：掺杂ZnO薄膜；制备工艺；性能 中图分类号：TN304．21 文献标识码：A 文章编号：1008—051l(2008)02—0060—05 氧化