超短脉冲激光对硅膜的热力效应分析.pdfVIP

第 7卷 第 6期 光 学 与 光 电 技 术 Vo1．7，No．6 2009年 12月 OPTICS OPTOELECTRONICTECHNOLOGY December，2009 文章编号：1672—3392(2009)06—0021—05 超短脉冲激光对硅膜的热力效应分析 宿 伟 齐文宗 郭春风 (四川大学电子信息学院，四川 成都 610064) 摘要 为了研究超短脉冲激光辐照下半导体材料的热力效应，在热电子崩力和 自洽场两种模型 的基础上，得到了完全耦合的非线性热弹方程组。在单轴应力条件下，采用有限差分法，讨论了 不同脉宽的超短脉冲激光辐照下，硅膜 内载流子温度、晶格温度 、热应力 以及热 电子崩力随时间 及膜深度的变化情况。结果表 明，脉冲宽度对硅膜的热力损伤过程起重要作用。能量密度一定 时，载流子和晶格达到热平衡所需时间随脉冲宽度的增加而增加 ；热电子崩力呈现 明显的双峰结 构，同时脉冲宽度对第二个峰值的影响较大；脉宽越窄，热应力的峰值越大，越容易对材料造成损 伤，为激光加工和光 电器件 的损伤提供 了理论参考。 关键词 超快热弹模型；有限差分法；热电子崩力；热应力 中图分类号 0437 文献标识码 A vanDriel等人 的工作 ，从 Boltzmann方程 的弛豫 1 引 言 时间近似条件出发，JKChen等人建立 了描述超 由于飞秒激光具有峰值高，与材料的相互作用 短脉冲激光作用下半导体材料中载流子和能量输 时间短、作用区域小的特点，因此被广泛应用于金 运过程的自洽模型。为了更好的描述热力响应的 属、半导体、光学晶体及其他各类物质的消融、钻孔 基本行为，取均匀激光束半径趋于无穷大，基于 自 切割以及各类表面的处理等，使得飞秒激光在超精 洽模型，在单轴应力条件下，结合JKChen等人关 细加工、光存储、微光子器件制造等方面有其独特 于热电子崩力方面的工作，建立了一维超快热弹模 的优势，并具有潜在的应用价值_】]。国内外已经 型。其非线性方程如下： 开展了不少有关超短脉冲激光损伤效应的实验和 1)载流子对速率方程 理论工作。在金属材料方面，建立了两步热传导模 On二== a h + 一yna+ 一v． (1) ￡ vr ‘ 2hvf ‘ 、 型、双相延迟模型、热 电子崩力模 型和热弹模 型[3 ；在半导体材料方面，提出了热波理论、载流 2)载流子能量速率方程 子浓度模型、自洽模型和热弹理论_7 ，本文根据 一 ^警a一(a4-On)I(~，t)+flI(，)一 ChenJK等人在理论力学方面提出的理论，基于 C-；,(T — 热电子崩力和 自洽场两种模型[3 ，建立了超短 ． 一 e