衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究.pdfVIP

维普资讯 浆 II期 电 子 学 报 Ⅷ ．29 № 2肿 】 II ACTAE【卫CrR0NlCA sI眦 ^ Nov Ⅻ 衬底热 电子增强的薄 SiO2层击穿特性研究 刘红侠 ，都 跃，黄 涛，方建平 (西安 电 科技大学微 电子研究所 ．陕西西安 710071) 摘 要： 本文通过衬底热电子SHE(St~stratehotelectron)注入技术，对 SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研 究 实验发现氧化层中的平均电子能量与村底电压有很大的关系 通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子 能jt}，根据计算出的电子能量可以解释 SHE注入和 F-N感穿注入的根本不同．本文提出了衬底热电子增强的TDDB 【Timede~mderJtdielectricb Ikd )模型． 关键词 ： 薄栅氧化层 ；经时击穿；衬底热电子 ：击穿电荷 中图分类号： TN304 文献标识谒： A 文章编号 ： 0372—2112(2GO1)11-1468-03 StudyofSubstrateHotElectronEnhancedBreakdown CharacteristicsofThinSi02 LIUHol~g-xia，}IlAOYue．HUANGTao．FANGJian—ping llnstit~e ,ff／c．,a．ee／az,m／~，．Vu／／anUmgers酊 ， ’ ， 7131071， j Abstra~： SHE(Sub~ateh。telectron)enhancedbreakdowncharacteristicsofthinSi02areinvestigatedbyusingSHEinjec- tHmtedmJquesTheseexperimentsrevealthattheaq．@I3geelectronenergyinthe慨idedependson 1b voltagestror~yTheaver· agl。electmnenergyinjeeledinto deC031becalculatedbvllgtheermr~-cansecvationequallon．Thedifference5e~enSHE I1J tiO1]andF-Ntunnelingcanbeexplainedinterms0ftheeaculatedelectron∞e ASHEenhancedTDDBmodelispresentedinthis paf．r- Keya~rds： thingateoxide；TDDB；SHE；chargetobreakd0wn 1 引言 中的实验条件各不相同，目前仍然没有得出令人满意的结论． 鼬片集戚电路的庚速发展，作为电路细胞的器件也随之 为了更好的比较 F-N隧穿与热载流子注^的不同点，下 不断的鸵小．同时随着器件栅介质的日益减薄，加在其上的电 面通过衬底热电子的注入技术 ，对 NMOSFE3器件进行了热电 场 自姑 l然就会 竖‘得很大，薄栅氧化层 的经时击穿 TDDB 子注入效应 的研究 ，得 出了热载流子效应增强的TDDB模型 【Timel11)enden1DielectlicBreakdo~t)成为一个突出的问题 ．虽 2 实验结果及讨论 然借肪 rMOS电容，对栅氧化层的TDDB击穿进行 了深入、广 2