衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1.pdfVIP

维普资讯 衬底热窒穴导致的 薄啊介质经时击穿的 物理模墨研究 刘红侠 郝跃 (西安电子科技 大学微 电子研究所 西安 710071) 摘要：该文定量研究了热电子和空穴 (S．O )栅介质损伤和击穿机制之间的关 现象的物理模型。 注入对薄栅氧化层击穿的影响，讨论了不 系，但是到 目前为止仍然没有能够描述薄 2．实验结果及讨论 同应力条件下的阈值 电压变化，首次提出 栅介持击穿机制的统一的模型 ，就 目前发 实验所有的样品为 P(100)衬底上 了薄栅氧化层的经时击穿是 由热 电子和 表的大量文章可看出，其物理模型大致有 生长 的 P沟 MOSFET，P沟 MOSFET制 空穴共同作用的结果 ，并对上述实验现象 如下几种 ： 造在 n阱中宽长比为 5O m／51~m，如图1 进行了详细的理论分析 ，提出了薄栅氧化 (1)与可动离子相关的击穿模型…， 所示。用注磷进行阈值 电压调整 ，第一次 层经时击穿分两步。首先注入的热电子在 认为氧化层中的可动离子沾污是引起击 注磷的能量和剂量分别为 160keV和 6x 薄栅氧化层 中产生陷阱中心，然后空穴陷 穿的主要原因。(2)与新生界面陷阱相关 1O”／cm ，其 目的是防止沟道 穿通 ，第二次 入陷阱导致薄栅氧击穿。 的击穿模 型2【】，认为新生界面陷阱是导致 注磷 的能量和剂量分别为 50keV和 1X 关键词：薄栅氧化层，经时击穿，衬底 击穿的主要原因。(3)感生共振隧穿模型㈦， 1012／cm ，用来进行阈值 电压调整。栅氧化 热空穴 (SHH)，模型 认为高场载流子是通过 (Sl0 )能量间隙 层采 用干氧氧化 生成 ，生长温度 为 1．引言 中存在的深缺陷态 (电子态 )发生共振隧 850~C，生长时间是 30mJn，形成的栅氧化 众所周知，通常 MOS器件栅氧化层 穿而注入薄 (Sl0 )中的。(4)与空穴注 层厚度为 1Onm，栅极材料采用LPCVD法 的击穿，是指在加高电压 以致 电场强度达 入相关的击穿模型 ，由于氧化层 中碰撞 淀积的多晶硅，P+源区和漏区采用离子注 到或超过介质材料能承受的临界击 穿电 电离产生空穴 ，当空穴流的影响达到某一 入 ，注入能量和剂量分别为 20keY和 3x 场的情况下所发生的瞬时击穿。而实际 定值 Q 时，氧化层就会发生击穿。(5)电 1O’5／cm 。在实验中MQSFET的源级、漏 上 ，即使所加 电场低于临界击穿电场 ，经 子陷阱产生击穿模型 】，认为氧化层中存 级和衬底都接地。对栅介质中通过的电子 过一段时间后 ，栅氧也会发生击穿，这就 在 电子陷阱 ，俘获 电子 引起 阳极 电场增 流和空穴流的测量通过 HP4156B高精度 是栅氧的经时击穿 ，即TDDB(TimeDe— 强，当电场达到临界值时，就引起 S．一0键 半导体参数分析仪和探针 台组成 的测试 pendentDielectricBreakdown)现象。 目 断裂而导致击穿。 系统来完成。 前 ，栅氧的经时击