钨丝阴极最热点分析.pdfVIP

维普资讯 真 空 电 子 技 术 VACULJMEU妍 RoNIa 2001年第 6期 钨丝阴极最热点分析 杜士珍．柴成钢．孙 蕾 (华中师范大学 信息技术系，湖北 武汉 43o079) HottestSpotAnalysisofTungstenCathode DU Shi—zhen，CHAICheng-gang，SUN Lei (Department InformationTechnologyCentralChinaNormalUnivers~ ，Wuhan430079．China) Abstract： Thist~perd I)Esretationship0ftheeoo[ingeffectofthermionicemisskm andhottestspotformed0f n tungtencathode．It’sestin~ledthedistancefrom hottest tt0cathodetip Keywords： ElectronM icroscope；Thermionicemission；Cooleffect；Hairpintungtencathode；Hottestspot 摘 要： 阐述了热电子发射的冷却效应与发叉形钨阴极形成最热点的关系，估算了发叉形钨阴极最热点到阴极尖的距 离 。 关键词： 电子显微镜；热电子发射；冷却效应；发叉形钨阴极；最热点 中圈分类号：O4621 文献标识码：A 文章编号：1002—8935(2001)06-0038-02 在电子显徽镜等可拆卸的电子束系统中，其电 的速度而为常数，h是普朗克常数， 是波尔兹曼常 子源均采用发叉形(“^”)钨丝阴极(即w 阴极) 。 数．rr是绝对温度， 是逸 出功，将式 (2)代人式 发叉形钨阴极的最热点往往处在阴极尖部某一旁侧 (1)，积分可得 部分 (w 阴极寿终时，均从此处断裂)。发叉形钨阴 = rr (3) 极的最热点不在发射区这一事实 ，已为许多科学工 式(3)表明每个发射电子在 方向携带的平均能量 作者观察到，但对其产生的原因说法不一 ，本文 为 了、，考虑到电子在 和 方向的平均能量均为 1／ 将从热电子发射的冷却效应来阐述 以上问题。 2kT，故热发射 电子流所携带 的总均能量 E 为 l 热电子发射的冷却效应 2kT。另外，再加上这个电子克服势垒必须作功，这 在一个热电子发射系统中，设 阴极表面垂直于 样，“蒸发”一个电子所需的平均能量 重为重= + 轴，则电子流中每个在 方向的平均能量E为 ： 2kT ． f 2 结论 E_- (P)=，lT笔_f二 (1) 通常发叉形 阴极在通电加热时，其阴极尖端 的 ， j n r 温度最高 ；然而当支取发射电流时，由于电子发射产 式中P．为电子逸出表面后在体外32方 向上动量， 生的冷却效应，使发射区(即尖端)温度下降，阴极最 d 为逸出阴极的电子数 (此时电子的动量为 P 到 热点出现在发射区的近旁。在运用 中，由于该点温 P +dP ，而 P ，P 为任意值)，m 为电子质量 由