阴极区热电子发射的数值模拟.pdfVIP

维普资讯 s 计 算 物 理 vo1 ． 14．N0 6 CHINESEJOURNALOFCOMPUTATIONALPHYSICS N。 1997 ． ， 阴极区热电子发射的数值模拟 重 盛 fI (东南大学旨军 ，南京 210o96) ， 一 摘 要 在电子束及粒子束器件中．发射系统直接影响整个器件的质量。因此．对发射系统的分 析就显得非常重要。对热阴极发射的数值计算方法做了一定的探讨。对常用的平板二极管模型进 行 了分析，从而了解了由于这种模型而引起的计算误差。针对这些问题，采用了一些其它的处理 方法来模拟热阴极的电子发射 。 关键词 垄塾至算 ．塾堕吐 平板 极 ． 峭 中圈分类号 04621 0242，1 O 引 言 在 电子束器件中，阴极的作用是根据要求按照一定的规律发射电子。根据其发射机理的 不同，阴极的发射可 以分为热电子发射、场致 电子发射、光 电子发射 以及次级 电子发射等多种 类型。本文就阴极的热电子发射做一些研究和探讨。 通常人们在研究阴极的热电子发射时多采用平板二极管模型_1J。取距阴极距离为 d的 一 个平面为假想的阳极平面，假想阳极平面和阴极构成平板二极管。由于在某些结构中，阴 极前的电场分布是非旋转对称的，因此本文在阴极面上划分扇形区域以形成平板二极管。图 1表示的是在发射区所形成的假想平板二极管。 电子束器件的电子枪在正常的工作状态下 阴极发射并不达到饱和，而是处于空间电荷限 制下工作。在空间电荷的限制条件下，假想平 板二极管之间的电位分布如图2所示。 通常我们利用Child公式计算平板二极管 中的电位 以及 电流密度。在利用Child公式计 算阴极发射电流密度时首先假设平板二极管舶 ● ●_] 尺寸相当大，电场沿z方向的变化比沿 ，方 ⑩ SurfaceofC1rhode 向的变化大得多。另外还假设在阴极表面 电场 ，J … 图 1 阴极面前构成假想平板二极管 强度为0，即 【 l =0。在以上两个假设条 、Ⅱ ／=0 件下，平板二极管中的Poisson方程可以表示为