高功率太赫兹脉冲半导体探测器的分析与设计.pdfVIP

物 理 学 报 ActaPhys．Sin． Vo1．60，No．3(2011) 030702 高功率太赫兹脉冲半导体探测器的分析与设计 王光强 ’ 王建国’童长江 ’李小泽 ’王雪锋’ 1)(清华大学工程物理系，北 京 100084) 2)(西北核技术研究所 ，西安 710024) (2010年 8月9 日收到 ；2010年 9月26 日收到修改稿 ) 设计 了一种基于半导体热 电子效应 的O．14THz高功率脉冲探测器．首先根据探测器 的结构特点，分析了探测 器 的工作原理 ，并推导了探测器的相对灵敏度表达式．接着采用三维电磁场时域有限差分法 ，模拟计算 了探测器的 电压驻波 比和线性 区的相对灵敏度．在优化的结构参数下 ，探测器在0．14THz波段 的电压驻波比不大于 1．3，相对 灵敏度约为 0．6kW ，且在 0．13—0．16THz频带内波动不超过 lO％．然后讨论 了焦耳热效应对探 测器的影 响，考 察 了太赫兹脉冲宽度与输出电压变化率的关系．最后对探测器 的检波模拟和分析结果表 明，探测器最大承受功率 约为 2．2kW，线性工作 区最大功率达数十瓦 ，响应 时间为皮秒量级 ，可完成 0．14THz纳秒级高功率太赫兹脉冲的 直接测量 ，提高其功率测量 的精度 ． 关键词：高功率太赫兹脉冲 ，探测器 ，热电子 ，灵敏度 PACS：07．57．Kp，85．30．De 完成了0．14THz波段探测器的分析与优化设计．最 1．引 言 后采用最优结构 的探测器 ，对 0．14THz相对论表面 波振荡器 的辐射脉冲进行 了模拟检波 ，从而详细 随着太赫兹科学技术 的迅速 发展 ，太赫兹波在 分析了该探测器的探测性能． 成像、通信、基础科学研究和军事安全等领域 的应 用对太赫兹辐射源的功率要求越来越高 ，高功 2．探测器原理与灵敏度 率太赫兹辐射源逐渐成为 当前的研究热点．真空 电 子器件由于其输出功率高 、可常温工作等优点得到 0．14THz高功率太赫兹脉冲探测器 的结构设 了广泛关注 和研究 ，例 如 自由 电子 激光 ，回旋 计如图 1(a)所示．探测器是 由微波段的电阻传感器 管 和各种相对论切伦科夫发生器 ’等．这些辐 (resistivesensor) 川 发展 而来 ，主要 由WR6型标 射源属于高压电子束驱动的高功率器件，一般可以 准波导、n—si探测单元和偏置恒 流源 ，n组成．其 中 产生频率小于 1THz，功率达兆瓦量级 的太赫兹连 半导体探测单元位于波导宽边的中心 ，结构设计如 续波或窄带脉冲 ，电磁环境较为复杂．对于高功率 图 1(b)所示 ．两个相 同的 n—si块 (相距几十到百 太赫兹连续波和长脉冲波，信号平均功率可以采用 m)顶端被铜导电层短路 ，其 中一块 的底端与波导 量热计或热释 电探测器等基 于热效应 的方法进行 壁短路接地 ，另外一块则与波导壁绝缘用于电压信 准确测量．但对于高功率太赫兹短脉冲，单次脉冲 号的引入和输 出．初 始时 ，偏置 电流源在探测单元 脉宽短 、能量低 ，对热效应测量法提 出了很高 的灵 敏度和快速响应时间要求 ，且其无法给出脉冲的峰 上产生偏压 ．当高功