GaN纳米结构的制备.pdfVIP

下载本文档

19
0
约1.11万字
约 3页
2017-08-21 发布于重庆
举报
版权申诉

GaN纳米结构的制备.pdf

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

GaN纳米结构的制备.pdf

28 3 2004 6 Vol. 28 l . 3 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS June 2004 GaN ¹ 1* 1 2 1 1 1 马洪磊 , 杨莺歌, 薛成山, 马瑾, 肖洪地, 刘建强 ( 1. 山东大学物理与微电子学院, 山东济南250100; 2. 山东师范大学半导研究所, 山东济南250014) : Ga O GaN , GaN 2 3 , , , , ( SEM) ( TEM) ( SAD) GaN GaN GaN , Ga O Ga GaN 2 3 GaN : GaN; ; ; : TN304 :A :0258- 7076(2004) 03- 0455- 03 GaN GaN , , GaN , , [ 1, 2] , , , , GaN, , 1 实验 [3] , GaN , 3 : ( 1) Si( 111) Ga O 2 3 [ 4] ; ( 2) --( V-L-S) - 4 13. 56 MHz5@ 10 Pa, [ 5] [2] ; ( 3) 1 7 150 W . % Ga O 2 3 [4] 6. 4 cm, 1 . 4 nm GaN , 8 cmAr N , Cheng[6] 2 [ 5] 10%, 1. 1 Pa GaN Dung Lieber 10 min, 0 min, --( V-L-S) , 300 nm Ga2O3 GaN ,