Si衬底生长InGaN／GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析.pdfVIP

VoI．44 NO．11 中 国 陶 瓷 第 44卷 第 11期 Nov．2008 2008年 11月 标准与检测 文章编号 ：1001—9642 (2008)11—0066—04 si衬底生长 InGaN／GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析 朱 华，李翠云 (景德镇陶瓷学院机 电学院， 景德镇 555001) 【摘 要】：文章对 Si衬底 GAN基GaN／hGaN多量子阱 将其切成大小一致的小块，丙酮清洗 2分钟捞出、自然干 TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍，并对其TEM衍射 燥，在膜面涂上少量胶 (Gntan的G胶或者M—Bond610 衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像 胶)，膜面相对粘在一起，快速放人夹具中加压固定、在 条件及其衬度进行了分析。