器件仿真的模板.docVIP

注意：不要“全选”“复制”“粘贴” 上面的图和文字程序不要直接复制，如果当真没有，把图片复制出来，切掉边框，本篇提供的是一个参考，为了达到多种参考，本文供多种选择，注意标注 实验一： NMOS 一、实验目的： 1、了解MEDICI的功能 2、基本掌握MEDICI的使用方法 3、掌握NMOS的结构、并获得NMOS的器件结构图，内部载流子浓度分布，电流密度分布，电势分布，电场分布 二、实验原理和内容： 根据杂质分布加密网格 根据电势分布加密网格 阈值电压 二次击穿 表面电荷的影响 三、实验步骤： 1、根据规则写出实验程序 PLOT.2D GRID TITLE=Example 1 - Doping Regrid FILL SCALE COMMENT Specify contact parameters CONTACT NAME=Gate N.POLY COMMENT Specify physical models to use MODELS CONMOB FLDMOB SRFMOB2 COMMENT Symbolic factorization, solve, regrid on potential SYMB CARRIERS=0 METHOD ICCG DAMPED SOLVE REGRID POTEN IGNORE=OXIDE RATIO=.2 MAX=1 SMOOTH=1 + OUT.FILE=mesh SYMB CARRIERS=0 SOLVE OUT.FILE=full PLOT.2D GRID TITLE=Example 1 - Potential Regrid FILL SCALE COMMENT Impurity profile plots PLOT.1D DOPING X.START=.25 X.END=.25 Y.START=0 Y.END=2 + Y.LOG POINTS BOT=1E15 TOP=1E21 COLOR=2 + TITLE=Example 1 - Source Impurity Profile PLOT.1D DOPING X.START=1.5 X.END=1.5 Y.START=0 Y.END=2 + Y.LOG POINTS BOT=1E15 TOP=1E17 COLOR=2 + TITLE=Example 1 - Gate Impurity Profile PLOT.2D BOUND REGION TITLE=Example 1 - Impurity Contours FILL SCALE CONTOUR DOPING LOG MIN=16 MAX=20 DEL=.5 COLOR=2 CONTOUR DOPING LOG MIN=-16 MAX=-15 DEL=.5 COLOR=1 LINE=2 COMMENT Solve using the refined grid, save solution for later use SYMB CARRIERS=0 SOLVE COMMENT Do a Poisson solve only to bias the gate SYMB CARRIERS=0 METHOD ICCG DAMPED SOLVE V(Drain)=1.0 COMMENT Use Newtons method and solve for electrons SYMB NEWTON CARRIERS=1 ELECTRON COMMENT Ramp the drain SOLVE V(Gate)=.2 ELEC=Gate VSTEP=.2 NSTEP=60 COMMENT Plot Ids vs. Vds PLOT.1D Y.AXIS=I(Drain) X.AXIS=V(Gate) POINTS COLOR=2 + TITLE=Example 1D - Drain Characteristics LABEL LABEL=Vgs = 3.0v X=2.4 Y=0.1E-4 2、通过MEDICI仿真出图像 四、实验数据和结果： 这个没用 根据电势分布加密网格 根据电势分布加密网格图 没用，愿意放上去随便 阈值电压（貌似不对） 阈值电压应该是这个样子的（两个图随便选一