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2017-08-21 发布于重庆
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利用金属过渡层低温键合硅晶片.pdf

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利用金属过渡层低温键合硅晶片.pdf

第卷第期半导体学报年月利用金属过渡层低温键合硅晶片张小英陈松岩赖虹凯李成余金中厦门大学物理系半导体光子学研究中心厦门中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京摘要在之间采用金属过渡层实现了低温键合键合温度可低至采用拉伸强度测试对键合结构的界面特性进行测试结果表明键合强度高于测试表明键合界面基本为欧姆接触射线光电子能谱测试结果进一步表明界面主要为共晶合金不同温度的变温退火实验表明键合温度越高键合强度越大且渐变退火有利于提高键合强度关键词硅片键合界面特性金属过渡层键合机理中图分类号文献标识码文章编号氧化层和之间的黏结性不强引言为此本文提出利用金属过渡层通过预键合及变温退火成功地实现了的低温键合