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第七章 Optical Storage 光信息存储 ►概述 ►二维光存储 ►三维光存储 ►四维光存储 §1 概述 •信息存储是信息处理的重要部分。 •信息存储可以分为两个方面来看，一是 存储的介质；二是存储的方式。 •存储器件性能要求：容量、传输速度、 存取时间、持久性、误码率、可靠性、 功耗、性价比等等 目前流行的存储器件有：半导体存储器件、 磁存储器件、光存储器件。 6 7 2 一般磁存储密度极限为：10 ~10 bit/in 超顺磁性限制 但随着科学技术的发展，已经超越这一极限 量子磁盘：65Gb/in2 近场扫描光学显微镜：100 Gb/in2 磁力显微镜：100 Gb/in2 原子力显微镜：103 Gb/in2 扫描隧道显微镜：106 Gb/in2 光存储主要特点有： 1）存储密度高，存储容量大 8 2 面记录密度可达10 bit/in ；体存储密度则 3 3 可达到10 Gb/in 。 2）并行程度高 3）抗电磁干扰 4）存储寿命长 5）信息价格低 光存储分类 按介质厚度：面存储 （二维存储）、体存 储 （三维存储） 按数据读取方式：逐位存储 （光打点式存 储）、页面并行式存储 按鉴别数据的方式：位置选择存储、频率 选择存储 ►概述 ►二维光存储 ►三维光存储 ►四维光存储 §2 二维光存储 光盘存储的原理：激光经聚焦后可在记录 介质中形成极微小的光照微区(直径为光 波长的线度，即1um以下) ，使光照部分 发生物理、化学变化．从而使光照微区的 某种光学性质(反射率、折射率、偏振特 性等)与周围介质有较大反衬度，以实现 信息的存储 。 一、只读存储光盘（Read Only Memory, ROM） 1、记录介质：光刻胶 2、记录方式：经声光调制的聚焦氪离子 激光将信息刻录在介质上制成母盘，然后 进行大量模压复制 3、制作过程 4、光盘材料：聚碳酸脂 （Polycarbonate） 光盘直径：12cm 厚度约：1mm 中心孔直径：15mm 重量：14-18g 普通光盘凹痕宽约 0.5μm，凹痕最小长度 约0.83μm，光道间距约 1.6μm，如图所示。每 张光盘大约包含8亿个 凹痕，可容纳高达 680MByte的数据量， 因此光盘的容量很大。 二、一次写入光盘（Write Once Read Many, WORM; 或者Direct Read After Write, DRAW ） 1、特点：用户第一次使用时可写入信息， 写完即可读，但不可擦除，不可复用 2、原理：利用激光光斑在存储介质的微 区产生不可逆的物理化学变化以记录信 息 3、记录方式：烧蚀型、起泡型、熔绒型、 合金型、相变型等。 三、可擦重写光盘（Rewrite, 或 Erasable-DRAW） 原理：采用了具有两个可逆稳定态的存储 介质，主要有相变型和磁光型存储介质。 信息重新写入时需要两个动作，即擦除和 写入。 四、直接重写光盘 原理：利用了激光束的粒子作用，在极短 的时间内使介质完成快速晶化 当擦除激光脉宽与写入激光脉宽相当时 (20—50 ns)，相变光盘可进行直接重写， 从而大大缩短了数据的存取时间 五、提高密度的传统方法及其极限 聚焦光斑点尺寸受激光束衍射效应的限制， 理论大小为：  R 0.