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光鋐科技股份有限公司光鋐科技股份有限公司 EPILEDS 光鋐科技股份有限公司光鋐科技股份有限公司 Epileds Technologies,Inc. 氮化銦鎵晶粒氮化銦鎵晶粒 產品規格書產品規格書 氮化銦鎵晶粒氮化銦鎵晶粒 產品規格書產品規格書 InGaN chip product specificationInGaN chip product specification InGaN chip InGaN chip product specificationproduct specification 品名 (Type name) : ED-G3838B-A2 ED-G3838B-A3 ED-G3838B-A4 Contents 目的 Scope 產品特性 Features 外觀尺寸 Dimensions 光電特性 Electro-optical characteristic 分類條件 Sorting bin grade 特性曲線 Characteristic curves 信賴性資料 Reliability data 包裝與儲存 Package and storage 外觀目檢標準 Visual inspection standard 8/10/2009 Rev. A.0 光鋐科技股份有限公司光鋐科技股份有限公司 EPILEDS 光鋐科技股份有限公司光鋐科技股份有限公司 Epileds Technologies,Inc. 目的目的 Scope: Scope : 目的目的 Scope Scope :: 本規格書針對光鋐科技之 38mil InGaN 綠光LED 晶粒 (ED-G3838B-A2、 ED-G3838B-A3、ED-G3838B-A4) 之相關基本特性進行說明 ,以作為客戶應用 時之參考資料 。 產品特性產品特性 Features Features:: 產品特性產品特性 Feature Featuress:: 本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結 構,以具有專利之透明導電層作為 P-GaN 之歐姆接觸層(Ohmic contact layer),並以 l.2um Au 金屬層作為焊線電極 (Bonding pad)。 外觀尺寸外觀尺寸 Dimensions: Dimensions: 外觀尺寸外觀尺寸 Dimensions: Dimensions: 長度: 965±10um 寬度 : 965±10um 厚度 : 150±10um 焊墊直徑 : 100±10um 焊墊厚度 : 1.2±0.1um 焊墊材料 : Au 保護層 : SiO2 layer 背鍍反射層 : ED-G3838B-A2:Reflective Layer (Al)

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