基于微电子技术的高压大功率NPN开关晶体管技术研究.pdfVIP

基于微电子技术的高压大功率NPN 开关晶体管技术研究 刘道广，陈思敏，周伟松，王均平，黄新，张斌，王培清 清华大学电力电子厂 摘要：本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A 的大功率晶 体管又名巨型晶体管（Giant Transistor，简称 GTR）。通过电参数 测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在I =10A 条件下测试，Ic 最大达到173A。 b 一引言： 随着 IGBT （Insulate Gate Bipolar Transistor）的出现，大 功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor，简称GTR）发展受 到一定的阻力。但是，GTR 仍以其通态饱和压降远远低于 IGBT 以及 能够很方便地实现电流比例控制等突出优点而在一些特殊应用领域， 尤其是在一些大型专用军事装设备领域起着难以替代的作用。 近年来我国在大功率晶体管方面并没有很大的发展，电流一般只 做到40A 以下，电压600V 左右。主要用于电视机的行输出管和电源 逆变管，在显示器、大功率接收、发送机及雷达等领域也有应用。与 国外500A 的水平相距甚远。目前，我国所用的40A 以上的大功率晶 体管全部依赖进口，其中最主要的应用领域是军事装备。 在大功率晶体管的制造技术上，100A 以下的大功率晶体管采用 的是传统的大功率晶体管制造技术，但随着电流和芯片尺寸的增加， 传统工艺将带来一系列问题，尤其是可靠性问题，因此在芯片和封装 设计上都将有一系列关键性的重大突破。本项目瞄准特殊军事用途， 把微电子技术和晶闸管技术进行有机整合，开发出大功率晶体管的制 造技术。通过一年多的研究和多项技术创新，已研制出了了400V/500A 的大功率晶体管样品。其输出结果如下图。 Veb0=12V 电流增益Hef=17 VceR≥400V 芯片图 芯片图 小电流下输出曲线