第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列(第五版).pptVIP

第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 学习要点： 半导体存储器的分类方法 ROM、RAM的电路结构和工作原理 CPLD和FPGA的基本结构 7.1 只读存储器（ROM） 7.2 随机存取存储器（RAM） 7.3 复杂可编程逻辑器件（CPLD） 7.4 现场可编程门阵列（FPGA） 第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 退出 7.1 只读存储器（ROM） 7.1.1 ROM的定义与基本结构 7.1.2 二维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与定时图 7.1.6 ROM应用举例 退出 存储器的分类 RAM：在工作时既能从中读出（取出）信息，又能随时 写入（存入）信息，但断电后所存信息消失。 ROM：在工作时只能从中读出信息，不能写入信息，且断电后其所存信息在仍能保持。 根据使用功能不同，可分为： 根据存储机理不同，RAM又可分为： 静态RAM（SRAM)和动态RAM(DRAM) ROM器件根据制造工艺不同分为： 二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM ROM器件根据存储内容的存入方式不同分为： 固定ROM和可编程ROM(PROM) 可编程ROM又可分为： 一次可编程存储器PROM 光可擦除可编程存储器EPROM 电可擦除可编程存储器E2PROM 快闪存储器(Flash Memory) IC卡、存储卡、U盘、MP3等 7.1.1 ROM的定义与基本结构 存储阵列 地址译码器 输出控制电路 地址输入 控制信号输入 数据输出 由大量存储单元 构成的矩阵 用以决定访问 哪个字单元 控制输出 三态缓冲电路 的状态 读出数据 的通道 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2线-4线 译码器 +5V R R R R A1 A0 D3 D2 D1 D0 OE 字线 位线 存储阵列 输出控制电路 ROM结构示意图 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 高 阻 0 地址 译码器 7.1.2 二维译码 A3 A2 A1 A0 Y0 Y1 4 线 | 16 线 译码器 +VDD R R R R D0 A7 A6 A5 A4 Y14 Y15 ? ? ? ? ? ? ? ? ? S3 S2 S1 S0 I15 I14 I1 I0 A3 I15 I14 I1 I0 16线-1线数据选择器 Y A2 A1 A0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 用MOS管构成存储单元的ROM结构示意图 7.1.3 可编程ROM ROM器件根据存储内容的存入方式不同分为： 固定ROM和可编程ROM 可编程ROM又可分为： 一次可编程存储器PROM（存储阵列由带金属熔丝的二极管构成） 光可擦除可编程存储器EPROM（存储阵列由SIMOS管构成） 电可擦除可编程存储器E2PROM（存储阵列由Flotox MOS管构成） 快闪存储器（存储阵列由快闪叠栅MOS管构成） 固定ROM是利用掩模技术把数据写入存储器中（即构建存储阵列中字线与位线交叉处二极管的有、无），一旦制成，存储数据无法改写 快闪存储器 ROM EPROM E2PROM 非易失性 是 是 是 是 高密度 是 是 是 否 单管存储单元 是 是 是 否 在系统可写 是 否 否 是 几种ROM性能比较 7.1.4 集成电路ROM X译码 Y译码 控制逻辑 存储阵列 Y选通 输出缓冲器 OE CE PGM A16～A0 D7～D0 VCC GND VPP AT27C010内部结构框图 工作模式 CE OE PGM A16～A0 VPP D7～D0 读 0 0 × Ai × 数据输出 输出无效 × 1 × × × 高阻 等待 1 × × Ai × 高阻 快速编程 0 1 0 Ai VPP 数据输入 编程校验 0 0 1 Ai VPP 数据输出 AT27C010的工作模式 AT27C010的读操作定时图 7.1.5 ROM的读操作与定时图 地址存取时间 片选存取时间 输出使能时间 输出保持时间 输出失效时间 7.1.6 ROM应用举例 用ROM实现二进制码与格雷码相互转换电路 A4 A3 A2 A1 A0 CE OE C I3 I2 I1 I0 D3 D2 D1 D0 O3 O2 O1 O0 ROM C