51单片机扩展存储器设计1(考，小题).pptVIP

内部存储器的组成 半导体存储器的分类： 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用功能 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储体是由大量的位存储单元按矩阵方式排列的组合体。每个位存储单元只能存储1位二进制信息。 存储一个字节的容量被称为1个存储单元。每个存储单元被赋予一个惟一的编号，即该单元的地址。 存储单元的容量与地址线位数有关： 2n ＝ N n：地址线位数 N：存储单元的容量 ① 存储体 注意：存储器芯片的存储容量与地址、数据线的位数有关： 芯片的存储容量＝2n×m ＝存储单元数×存储单元的位数 n： 芯片的地址线根数 m：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 读RD*或OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WR* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 外部电路较简单； 功耗较大。 SRAM芯片6116 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线D7～D0 片选CS* 读写W*、E* 动态RAM DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容（记忆元件）； 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新； 每次同时对一行的存储单元进行刷新； 每个基本存储单元存储二进制数一位； 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵； DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 DRAM芯片4116 存储容量为16K×1 16个引脚： 7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 读写控制WE* 只读存储器 MROM：掩膜型ROM，其中的信息是厂家根据给定的程序和数据对芯片进行二次光刻制成，造价很高； PROM：可编程ROM，每个基本电路由1个三极管和串接在射极上的熔丝组成。出厂时，每位上存储的信息均为1，写入0时，产生大电流将熔丝烧断完成。由于熔丝烧断后不能恢复，所以只能编程一次。 只读存储器 EPROM：可擦除可编程ROM，信息的存储通过电荷分布决定。刚出厂的芯片中没有电荷，所存信息为1，写入0时通过加编程电压把电荷注入相应的基本存储电路实现。当外部能源（紫外线光源）加到芯片上时，聚集在电路中的电荷形成光电流泄漏走，改变电荷分布，擦掉0，恢复原始状态1。 EEPROM：电可擦可编程ROM，在﹢5V电源下就可在线编写和擦除，是一种特殊的可读写的存储器。 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息； 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程； 编程后，应该贴上不透光封条； 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1； 编程就是将某些单元写入信息0。 EPROM芯片2716 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP EPROM芯片2732 存储容量为4K×8 24个引脚： 12根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE* 读写OE*/编程电压VPP EEPROM 用加电方法，进行在线（无需拔下，直接在电路中）擦写（擦除和编程一次完成）； 有字节擦写、块擦写和整片擦写方法； 并行EEPROM：多位同时进行； 串行EEPROM：只有一位数据线。 EEPROM芯片2817A 存储容量为2K×8 28个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* EEPROM芯片2864A 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* 存储器的连接 这是重点内容 译码方法同样适合I/O端口 存储芯片的连接与扩展 存储芯片的数据线 存储芯片的地址线 存储芯片的片选端 存储芯片的读写控制线 存储芯片位数的扩充 若芯片的数据线正好8根： 一次可从芯片中访问到8位数据； 全部数据线与系统的8位数据总线相连； 若