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主存储器 存储系统结构 主存储器的一些基本概念 主存储器流行的种类 主存储器的基本存储单元(静态随机读写和动态随机读写) 由存储单元构成存储器(容量扩展) 第一节 存储系统结构 一、由于CPU的工作速度发展很快,具体数据见第一章相关表格。而存储器的速度提高总是落后于CPU。因为使得存储器成为计算机总体性能提高的一个瓶颈。 二、为了满足计算机对存储设备速度的要求。在IA-32系列计算机中普遍层次式存储系统结构。 寄存器(CPU内部和设备接口内部) CACHE(CPU内部:片上CACHE和CPU外部:板上CACHE) 内存:CPU按照单元地址进行访问的快速存储器 外存:CPU不能直接访问,但和内存比起来:容量大、成本低,但是速度慢。 前三个在主机内,第四个在主机外。容量从上到下由小到大,速度则相反。 第一节 存储器的基本概念 一、存储器的主要性能指标 1、存储容量:存储器能容纳的二进制信息总量,经常用独立编址的存储单元的数量来表示。一个单元可以存放整个字(字单元:64K字),也可以存放一个字节(字节单元:512KB),所以有按照字编址的计算机、按照字节编址的计算机。所以,一个存储单元可以包含若干个独立编址的字节。见223页图8-1 2、存储器存取时间(一次存储器读操作或写操作需要的时间,存储器访问时间) 3、存储周期(连续两次存储器存取操作的最小时间间隔,存储器访问周期),等于存储器存取时间和存储单元刷新时间之和。 4、可靠性:平均无故障时间MTTF 5、性能价格比:与存储器的结构、外围电路等有关。 存储器的分类之一-----非易失存储器 非易失存储器统称为只读型存储器(ROM型存储器),在微型计算机中主要用来存储一些固定信息,包括BIOS、技术规格信息等,在单片机中主要作为程序存储器和特殊功能寄存器使用。 存有固定信息的非易失存储器称为固件 种类: 掩膜ROM:价格低、速度高、容量大、功耗低、可靠性高;但是不能修改,现在已经被快闪代替。 PROM(可通过编程器编程一次):低、最高、 小、 高、 高、但是不可修改。目前很少使用 EPROM(可通过编程器编程,但是擦除操作需要专用的紫外线擦除器):不方便、被快闪取代 EEPROM: 联机电改写,以字节方式写入。 FLASH(快闪存储器):联机电改写,以块方式写入(64KB):单片机中程序存储器。 在IA-32CPU中,使用快闪存储器保存容量大的BIOS,用EEPROM保存需要进行字节修改的技术规格说明。 存储器的分类之二----DRAM存储器 DRAM也叫做动态随机存取存储器,采用CMOS技术制造成。并且集成了用于存储信息的小电容器。当电容储存的电荷大于高电平时候,其状态是逻辑1,小于低电平时,其状态为逻辑0。 所以向DRAM中写1的过程是给电容充电的过程,写0的过程是放电。 由于电容的自放电想象,所以对电容组成的DRAM要每隔一定的时间(DDR2 SDRAM要求64ms)进行刷新,在现代的DRAM中,刷新控制电路和存储电路集成在一起。刷新是自动完成的。 IA-32 计算机使用的DRAM 1、Rambus DRAM:简称RDRAM,以高性能著称,但是价格较高,已经不再使用了。 2、SDRAM:同步动态随机存储器,传统的DRAM采用异步方式和CPU进行信息交换,因此降低了系统的工作速度。而同步工作方式下,SDRAM可以锁存CPU发来的(地址、数据和控制信息),CPU可以做其它的工作。提高了存储器的性能。 3、在IA-32计算机中,常用的SDRAM有PC SDRAM、 DDR SDRAM(Intel公司的845芯片组支持)、 IA-32 计算机使用的DRAM DDR2 SDRAM(新型的9xx系列芯片支持同时) 4、PC SDRAM只能在时钟的下降沿到来的时候传送数据,而DDR/DDR2 SDRAM在时钟的下降沿和上升沿都可以传送数据。所以性能提升两倍。 5、DDR SDRAM和单芯片容量小于1MB的DDR2 DRAM的存储器件内部采用四体交叉存取结构。其它的DDR2 DRAM采用八体交叉存取结构 6、在IA-32计算机上,把若干个DDR或者DDR2的存储器件组合在一起,安装在印制电路板上,构成了存储模块,称为双列直插式存储器模块(DIMM)。两者之间性能也有所差别。 计算机组成第二级原理组成之主存与中央处理器的连接 计算机组成第三级原理之主存与中央处理器的连接 半导体随机存储器 一、MOS管静态存储单元(228页图8-5) 二、静态存储器芯片的内部组成 矩阵形式的存储体 地址译码电路(单译码229页图8-6、双译码230页图8-7) 读写控制电路(R/W、CS ) 数据输入、输出线 三、Intel2114静态存储器芯片组成(231页图8-
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