晶片表面几何特性对键合的影响.pdfVIP

第 26 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 4 2005 年 4 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Ap r . ,2005 晶片表面几何特性对键合的影响 陈　斌 　黄永清 　任晓敏 (北京邮电大学光通信中心 , 北京 　100876) 摘要 : 由最小能量原理导出的键合条件出发 ,利用线性薄板理论 ,在同一理论模型框架下 ,通过量度键合过程能否 进行的弹性应变能累积率 ,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响 ,并对所得结 果进行了详细讨论. 关键词 : 晶片键合 ; 表面能 ; 吸附能 ; 线性薄板理论 EEACC : 2520C ; 2530B 中图分类号 : O485 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 1 　引言 2 　理论模型 晶片直接键合技术是指不需要中间的粘附层 , 室温晶片键合的产生是基于晶片材料表面内部 表面平整洁净的晶片对直接粘合在一起 ,而且粘合 分子或原子间的相互作用力 ,主要为 Van der Waal s 强度与晶片体材料断裂强度相近. 键合过程依赖于 力和氢键 ,这些力是短程力 ,它们的强度随着表面距 室温下晶片界面的短程分子力的作用达到预键合 , 离的增大而迅速减弱. 晶片键合界面吸附力作用可 然后通过热处理来加强键合的强度. 键合工艺在集 通过表面能反映 ,随着键合区域的增加 ,两晶片的表 成新材料方面具有极大的自由度和完整性 , 目前已 面能减少而界面能增加. 在键合界面的形成过程中 Γ 广泛应用到微 电子 、传感器 、功率器件 、M EM S 、光 表面能的净改变就形成吸附能 , 它可通过两晶片 γ γ γ 电子器件等领域. 的表面能 1 , 2 和界面能 12 表达如下 : Γ γ γ γ ( ) 室温晶片键合过程依赖于晶片表面的短程分子 = 1 + 2 - 12 1 作用力 ,这意味着晶片表面的平整度和粗糙度是很 吸附能 Γ表示键合两晶片表面单位面积可得到的 关键的因素. 不少文献从不同角度讨论了晶片的平 能量. 当两晶片的表面很完整地匹配在一起时 ,只需 整度对键合的影响. Ma szara 等人考虑了表面形貌 较小的吸附能就可激发键合产生. 然而 , 由于晶片表 对接触点局域应力的影响[ 1 ] , Tong 等人给出了室温 面平整度的偏差 , 晶片对的界面几乎不可能完全匹 晶片接触界面缝隙封闭的条件[2 ] , Yu 等人用三维应 配 ,这就要求吸附能必须足够大 ,使得晶片对发生一 力场解决了同样的问题[3 ] , 国内韩伟华等人讨论了 定的弹性形变来消除表面平整度的偏差促使键合进 硅片键合平整度条件[4 ] . 本文由最小能量原理导出