第4章微型计算机存储器系统.pptVIP

主要内容 微型计算机存储器系统的构成 存储器的主要技术指标 组成主存储器的各种半导体存储器、cache 常用辅助存储器及其接口 虚拟存储器 学习目标 理解并掌握微机存储器系统的构成和主要技术指标 了解半导体存储器、cache、辅助存储器的组成和虚拟存储器的基本概念 4.1 微型计算机存储器 4.1.1 微机存储器系统 主存储器通常安装在主板上，又称为内部存储器，如图4-2所示。主存能直接和CPU交换信息，存放当前正在运行中的程序和数据。微机的主存由半导体存储器RAM和ROM组成，目前装机容量一般为256MB~1GB。 辅助存储器又称外存储器，其特点是容量大、造价低，多用于存放当前不直接参与运行的程序和数据及系统程序。外存储器主要有两种：一种是磁表面存储器；包括软盘和硬盘存储器；另一种是光盘存储器。目前，U盘(一种半导体存储器)作为移动存储器已取代了软盘。 高速缓冲存储器cache是介于CPU和主存之间的一个容量小，但速度接近于CPU的存储器，一般集成在CPU内部。 在微机运行中，从主存读写数据的速度远远跟不上CPU运行速度。为此，将一段当前使用频繁的程序和数据存放在cache中，当CPU需要从主存中读出程序和数据时，可同时访问主存和cache，如果所需要的内容恰好在cache中，则CPU可很快获得，否则再从主存中读取。当CPU发现cache中已不再是最活跃的信息时，就将内容更换，将主存中另一段当前活跃的程序和数据调入高速缓存。这样，CPU直接访问的存储空间，可以像主存那样大的容量，而读写速度接近于CPU。 4.1.2 主要技术指标 微机存储器的主要技术指标包括存储容量、存取周期、可靠性和性价比。 1.存储容量 存储容量是存储器可以存储的二进制信息的数量。单位为B、KB、MB、GB。 对于按字节编址的存储器而言，存储器存储单元的多少或一个机器的存储空间的大小，可以由其地址码的位数确定。 n位地址码的存储器最大可编址2?个存储单元，其容量为2?B，如32位微机有32位地址码，存储器容量可支持4GB，但目前实际装机容量为256~1024MB。 2.存取周期 存取周期是指存储器完成一次读/写操作所需要的时间。若设存储器总线宽度为W(B)，周期时间为Tc(s)，则数据传输率为W/Tc(B/s)，表示每秒钟存储器能并行传输多少个字节。对于32位机，若Tc=200ns，则存储器数据传输率可达20MB/s。 注：1秒(s)=1,000,000,000纳秒(ns) 3.可靠性 一般使用平均无故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF为两次故障之间的平均间隔时间。MTBF越长，可靠性越高。若Ti为第i次无故障间隔时间，N为故障数，则 4.性价比 性价比是一个综合指标。性能是指存储容量、存取周期和可靠性；价格指存储器的总造价。 4.2 主存储器 微机中主存储器由半导体存储器组成。半导体存储器的分类如图4-3 双极性RAM：即是用双极性半导体电路作为记忆元件的RAM，其主要特点是存储速度快，与MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大而且价格也较高。主要用于要求存取速度高的微型计算机中。 MOS型RAM：金属氧化物半导体电路作为记忆元件的RAM，其集成度低、功耗低、速度较快。 静态RAM：其存储单元所存储的信息不需要刷新。 动态RAM：其存储单元所存储的信息需要定时刷新。 掩膜 ROM：这种ROM是芯片制造商根据ROM要存储的信息，设计固定的半导体掩膜板进行生产，一旦掩膜做好，其存储的信息就固定了。 可编程ROM：用户可根据需要写入信息，内容一旦写入，就不能修改。 可擦除的PROM：其写入的信息可以长久保存，当程序需要更改时，又可以将其全部擦除，重新写入。 电可擦除的PROM：不仅提供全片擦除功能，还可以字节为单位进行擦除和改写。 4.2.1 随机存取存储器 RAM是一种既能写入又能读出的存储器。RAM只能在电源电压正常时工作，一旦断电，RAM内的信息便完全丢失。 1.SRAM SRAM的基本存储电路是利用双稳态电路的某一种稳定状态表示二进制信息的。其基本存储单元是双稳态触发器，每一个单元存放一位二进制信息。双稳态电路是一种平衡的电路结构，不管处于什么状态，只要不给它加入新的触发，不掉电，它的稳定状态将保持下去。故所存的信息不需要刷新。 SRAM的存取速度很快，多用于要求高速存取的场合，例如，高速缓冲存储器。 常用的SRAM芯片有6264、62256和628128等。如6264引脚图如图4-4，SRAM与CPU的连接如图4-5所示。Ao~An为地址总线，Do~Dn为数据总线， 为片选信号， 为写控制信号， 为读控制信号。