7章 半导体存储器.pptVIP

* * 图8-13 八种波形发生器电路图 波形选择开关 256进制计数器 存八种波形的数据 经8位DAC转换成模拟电压。 * * S3 S2 S1 波 形 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 正弦波 000H～0FFH 0 0 1 锯齿波 100H～1FFH 0 1 0 三角波 200H～2FFH ┇ ┇ ┇ 1 1 1 阶梯波 700H～7FFH 表8-2 八种波形及存储器地址空间分配情况 S1、S2和S3：波形选择开关。 　　两个16进制计数器在CP脉冲的作用下，从00H～FFH不断作周期性的计数，则相应波形的编码数据便依次出现在数据线D0～D7上，经D/A转换后便可在输出端得到相应波形的模拟电压输出波形。 * * 图8-14 三角波细分图 　　下面以三角波为例说明其实现方法。 　 　　三角波如图8-14所示，在图中取256个值来代表波形的变化情况。 　　在水平方向的257个点顺序取值，按照二进制送入EPROM2716（2K×8位）的地址端A0～A7，地址译码器的输出为256个（最末一位既是此周期的结束，又是下一周期的开始）。 　　由于2716是8位的，所以要将垂直方向的取值转换成8位二进制数。 * * 表8-3 三角波存储表 　　将这255个二进制数通过用户编程的方法，写入对应的存储单元，如表8-3所示。将2716的高三位地址A10A9A8取为0，则该三角波占用的地址空间为000H～0FFH，共256个。 * * 7.1.4 其它类型存储器简介 1. EEPROM 　　用电气方法在线擦除和编程的只读存储器。 　 存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管。 　　写入的数据在常温下至少可以保存十年，擦除/写入次数为１万次～ 10万次。 2. 快闪存储器Flash Memory 　采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 单片容量已达64MB，并正在开发256MB的快闪存储器。可重写编程的次数已达100万次。 * * 　　由美国Dallas半导体公司推出，为封装一体化的电池后备供电的静态读写存储器。 它以高容量长寿命锂电池为后备电源，在低功耗的SRAM芯片上加上可靠的数据保护电路所构成。 其性能和使用方法与SRAM一样，在断电情况下，所存储的信息可保存10年。 其缺点主要是体积稍大，价格较高。 此外，还有一种nvSRAM，不需电池作后备电源，它的非易失性是由其内部机理决定的。 　　已越来越多地取代EPROM，并广泛应用于通信设备、办公设备、医疗设备、工业控制等领域。 3. 非易失性静态读写存储器NVSRAM * * 　　串行存储器是为适应某些设备对元器件的低功耗和小型化的要求而设计的。 主要特点：所存储的数据是按一定顺序串行写入和读出的，故对每个存储单元的访问与它在存储器中的位置有关。 4. 串行存储器 5.多端口存储器MPRAM 　　多端口存储器是为适应更复杂的信息处理需要而设计的一种在多处理机应用系统中使用的存储器。 特点：有多套独立的地址机构(即多个端口)，共享存储单元的数据。 多端口RAM一般可分为双端口SRAM、VRAM、FIFO、MPRAM等几类。 * * 表8-4 常见存储器规格型号 类型 容量 SRAM EPROM EEPROM FLASH NVSRAM 双口RAM 2 K×8 6116 2716 2816 ? DS1213B 7132/7136 4 K×8 ? 2732 ? ? DS1213B ? 8 K×8 6264 2764 2864 ? DS1213B ? 16 K×8 ? 27128 ? ? ? ? 32 K×8 62256 27256 28256 28F256 DS1213D ? 64 K×8 ? 27512 28512 28F512 ? ? 128 K×8 628128 27010 28010 28F010 DS1213D ? 256 K×8 628256 27020 28020 28F020 ? ? 512 K×8 628512 27040 28040 28F040 DS1650 ? 1 M ×8 6281000 27080 28080 28F080 ? ? * * 本章小结 　　存储器是一种可以存储数据或信息的半导体器件，它是