传感器及其信号调理技术 教学课件 作者 徐湘元 第3章（2）.pptVIP

* (3-31) 式中，R为线圈与被测体的尺寸因子。 图3-23 电涡流传感器原理图 图3-24 电涡流传感器等效电路图 如果保持上式中其他参数不变，而只改变其中一个参数，传感器线圈阻抗Z 就仅是这个参数的单值函数。通过与传感器配用的测量电路测出阻抗Z的变化量，即可实现对该参数的测量。 若把导体等效成一个短路线圈，可画出图3-23的等效电路图，如图3-24所示。图中 为电涡流短路环等效电阻。根据基尔霍夫第二定律，可列出如下方程。 (3-32) 式中， 线圈激磁电流角频率； 、 为线圈电阻和电感； 、 为短路环等效电感和等效电阻。 由式 (3-32) 解得等效阻抗 Z 的表达式为 (3-33) 式中 为线圈受电涡流影响后的等效电阻； 为线圈受电涡流影响后的等效电感。 线圈的等效品质因数 Q 值为 (3-34) 2. 电涡流式传感器的特性 （1）电涡流的径向形成范围 线圈——导体系统产生的电涡流密度既是线圈与导体间距离 x 的函数，又是沿线圈半径方向 r 的函数。当 x 一定时，电涡流密度J与半径r的关系曲线见图3-25所示。 为半径r处的金属导体表面电涡流密度。可以得到以下结论： 1) 电涡流径向形成的范围大约在传感器线圈外径 的1.8 ~ 2.5倍范围内，且分布不均匀。 2) 电涡流密度在短路环半径 r = 0 处为零。 3) 电涡流的最大值在r = 附近的一个狭窄区域内。 图3-25 电涡流密度J与半径r的关系曲线 图3-26 电涡流强度与距离归一化曲线 4）可以用一个平均半径为 的短路环来集中表示分散的电涡流(图中阴影部分)。 （3-35） （2）电涡流强度与距离的关系 理论分析和实验都已证明，当 x 改变时，电涡流密度发生变化，即电涡流强度随距离x 的变化而变化。根据线圈—导体系统的电磁作用，可以得到金属导体表面的电涡流强度为 (3-36) 式中， 为线圈激励电流； 为金属导体中等效电流；x 为线圈到金属导体表面距离； 为线圈外径。根据上式作出的归一化曲线如图 3-26。 以上分析表明： 1) 电涡强度与距离 x 呈非线性关系，且随着 的增加而迅速减小。 2) 当利用电涡流式传感器测量位移时，只有在 (一般取0.05~0.15) 的范围，才能得到较好的线性度和较高的灵敏度。 （3）电涡流的轴向贯穿深度 由于趋肤效应，电涡流沿金属导体纵向的 分布是不均匀的，其分布按指数规律衰 减，可用下式表示 (3-37) 式中，d 为金属导体中某一点至表面的距离； 为沿 轴向 d 处的电涡流密度； 为金属导体表面电涡流密度，即电涡流密度最大值；h为电涡流轴向贯穿深度 (趋肤深度)。 显然磁场变化频率越高，涡流的集肤效应越显著，即涡流穿透深度越小。其穿透深度h 可表示为 (3-38) 式中， 为导体电阻率； 为导体相对磁导率； f 为交变磁场频率。 可见，涡流穿透深度 h 和激励电流频率 f 有关。因此，涡流传感器根据激励频率可分为高频反射式和低频透射式两类。 3. 测量电路 （1）电桥电路 图3-27 电桥电路 如图 3-27 所示，图中 和 为传感器 两线圈电感， 和 分别与选频电容并 联组成两桥臂，电阻 和 组成另外两桥臂。静态时电桥平衡，桥路输出 。 工作时，传感器接近被测体，电涡流效应等效电感 L 发生变化，测量电桥失去平衡 ，即 ，经线性放大后送检波器检波后，输出直流电压U 。显然此输出电压U的大小正比于传感器线圈的移动量，以实 现对位移量的测量。 （2）调幅式 (AM) 电路 如图 3-28 所示，石英振荡器产生稳频、稳幅高频振荡电压 (100kHz～1MHz) 用于激励电涡流线圈。金属材料在高频磁场中产生电涡流，引起电涡流线圈端电压的衰减，再经高放、检波、低放电路，最终输出的直流电压 反映了金属体对电涡流线圈的影响。 图3-28 调幅式电路 （3）调频式（FM）电路（100kHz～1MHz） 如图3-29 所