传感器及其信号调理技术 教学课件 作者 徐湘元 第6章（1）.pptVIP

* 第6章 磁敏传感器 【内容提示】 磁敏传感器是对磁场敏感的传感器，它是利用磁场作用使物体的电性能发生变化的物理效应制成的，实现使磁场强度或与磁场强度相关的物理量转变成电量。磁敏传感器具有结构简单、灵敏度高、无接触、稳定性好、寿命长和频率响应范围宽等特点，因而被广泛应用于工农业生产和国防科研等领域。 磁敏传感器（magneto-dependent sensor）是利用半导体磁敏元件对磁场敏感的特性来实现磁电测量的。用磁场（magnetic field）作媒介，可以检测很多物理量，如位移、振动、力、转速、加速度、流量、电流、电功率等。这类传感器不仅可以实现非接触测量，而且还不从磁场中获取能量。在本章开始的时候，我们先给出磁敏传感器的主要类型、特性和用途等信息，让初学者有一个大致的印象，然后开始具体的学习与讨论。表6-1对这些信息进行了概括与表述。 6.1 霍尔传感器 6.1.1 霍尔效应、霍尔元件及其材料 1．霍尔效应（Hall effect） 霍尔效应是一种磁电效应，最初是美国物理学家霍尔 (Edwin Herbert Hall, 1855-1938)于1879年在研究金属导电机构实验中发现的。将一载流导体放在磁场中，若磁场方向与电 生物磁场检测 约瑟夫逊效应 超导量子干涉器件 磁场、位置、速度 法拉第电磁 感应效应 磁电感应传感器 速度、脉冲发生器 威根德效应 威根德器件 角位移和线位移、大电流 巨磁阻抗或巨 磁感应效应 巨磁阻抗传感器 三端、四端、二维、三维和集成电路 磁读头、旋转编码器、速度 磁敏电阻的 各向异性 金属膜磁敏电阻器 双极型和MOS型晶体管 位置、速度、电流电压 集电极或漏极电 流的磁场调制 磁敏晶体管 位置、速度、电流电压 复合电流的 磁场调制 磁敏二极管 长方体、栅格结构、InSb-NiSb共晶体和曲折形磁阻元件 旋转和角位移 磁敏电阻效应 半导体磁敏电阻 单晶霍尔片、开关和线性集成电路 磁场、位置、速度、电流、电压 霍尔效应 霍尔器件 相关元件 检测内容 工作范围 工作原理 名 称 表6-1 主要磁敏传感器 流方向正交，则在与磁场和电流两者垂直的方向将会产生横向电动势，这一现象被称作霍尔效应，响应的电动势被称作霍尔电动势（Hall electromotive force）。 放一块长l，宽b，厚 d 的N型半导体材料，使电流（习惯上称为控制电流）从右端流向左端，并有一磁场B垂直穿过半导体块，如图 6-1 所示。通电导体在磁场下会产生洛伦兹力 (Lorentz force)，即磁场对运动点电荷的作用力，其大小为 图6-1 霍尔效应原理图 其中，e为电子电荷量， 库伦，v为电子运动速度，B 磁感强度， 单位特斯拉T。洛伦兹力方向可用左手 法则来确定，即左手4指与大拇指垂直， 4指的方向与电流的方向一致，磁力线 垂直穿过掌心，则大拇指所指的方向即 为洛伦兹力方向。 在 作用下，电子运动会产生偏移（见图），并在材料块后端产生积累（负电荷），前端积累正电荷。正负电荷的形成导致电场产生，称为霍尔电场 ，电场力方向由负电荷端指向正电荷端（如图），大小为 其中， 为霍尔电动势，e同前，为电子电荷量，b为材料块的宽度。 当洛伦兹力与电场力相等时，电子积累处在动态平衡，从而有 于是有 由此获得 （6-1） 考虑电流 I，设N型半导体材料块电子浓度为 n，则电流密度为 其中负号表示电子速度与电流方向相反。由电流定义有 从而获得 将其代入式（6-1），有 （6-2） 其中 为霍尔系数， 为霍尔片灵敏度（系数）。 以上产生霍尔电动势的现象称为霍尔效应。从式（6-2）可知， 与 I 和 B 成正比；随着d 下降， 会上升，所以，d 一般选得较小（薄）； 与电子浓度 n 有关，n 越大， 越小，所以霍尔片通常不用金属导体，而选半导体。 若磁场与霍尔片法线方向有夹角 ，则霍尔电动势为 若 B 或 I 改变方向， 也改变方向；若 B 和 I 同时改变方向，则 不变方向。 2．霍尔元件及其材料 霍尔元件外形如图6-2 (a) 所示，符号通常有三种，如图6-2 (b) 所示，其中1和3脚为控制电流极，2和4脚为霍尔电动势输出极。霍尔元件基本测量电路如图6-3所示，其中 为负载， 为可调电阻，调节I的大小。 图6-2