聚(3-己基)噻吩薄膜中电荷传导的研究.pdfVIP

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2017-08-21 发布于北京
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聚(3-己基)噻吩薄膜中电荷传导的研究.pdf

2007年第65卷化学学报 V01．65。2007 ACTACHIMlCA 第23期。2649～2．655 SINICA No．23，2649～2655 ·研究论文· 聚(3-己基)噻吩薄膜中电荷传导的研究蒋晓青书 (南京师范大学化学与环境科学学院南京210097) 摘要对两种具有相同化学结构的聚(3．己基)噻吩膜进行了电荷传导研究以检验膜的结构对载流子迁移率的影响．一种膜是由3．己基噻吩单体经电化学合成直接制备的膜(原位生长膜)；另一种膜是将原位生长膜溶于三氯甲烷后重新滴载流子迁移率相一致；然而在中等掺杂率区域。两膜中的载流子迁移率明显不同．对于原位生长膜，载流子迁移率在低掺杂区域几乎保持不变，当掺杂率大予l％后开始上升；而在滴涂膜中，随着掺杂率的增加，迁移率先下降然后迅速升高．上述两种迁移率变化特征分别与以前研究中观察到的电化学合成高分子膜和化学合成高分子旋涂或滴涂膜中迁移率的变化特征相一致，表明了迁移率随掺杂率变化特征的改变是由膜的结构变化而引起的．关键词聚(3．己基)噻吩；电解合成；迁移率 A onThinFilmsof ChargeTransportStudy JIANG；Xiao—Qing母 andEnvironmental 210097) (CollegeofChemistry Science，№哪岫NormalUniversity，Nanjing AbstractTwokindsof withthesahibchemical were poly(3-hexylthiophene)filmscompositionssubjected toa inordertoexamine influencesoffilmstructuresonmobilitiesof chargetransportstudy possible charge as carders．Onefilmwas amonomer(as—grownfilm)， electrochemicallysynthesizedusing3-hexylthiophene andtheotherwas the filminchloroformandthencastthe solution preparedbydissolving polymer as—grow coincidedwellatthe levels，irrespec— (castfihn)．Mobilities lowest(0．02％)andhigh(20％,--,30％)doping fiveofthefilm cleardifferencewasfoundbetweenthetwokindsof methods。However,a p