微电子器件与电路实验(集成班)实验三.pdfVIP

华侨大学电子工程系 微电子器件与电路实验 Lab # 3 集成二极管电学特性 实 验 时 间 2013学年上第九周 机电信息实验大楼A526 文 档 名 称 集成二极管电学特性仿真验证实验 文 档 类 型 实验教学文档 文 档 撰 写 HWW 文 档 版 本 Ver：1.0 更 新 时 间 2013.10.28 更 新 内 容 初始文档，未更新内容 文 档 更 新 初始文档，未更新内容 支 持 软 件 Cadence IC 5141 适 用 专 业 集成电路设计与系统集成专业 华侨大学厦门专用集成电路与系统重点实验室 国立华侨大学 信息科学与工程学院电子工程系 微电子器件与电路实验 #3 集成二极管电学特性仿真验证实验 实验指导教师：HWW 实验时间： 集成 A 班：2013-10-29 08：00-10：00 地点：机电信息实验大楼 A526 在集成电路设计中由于使用不同的工艺代工厂使用不同工艺提供的器件模型不一样，导 致器件的电学特性也会不一致。在本实验将验证二极管的电学特性随着二极管结面积、工艺、 温度等变化曲线。对比集成二极管同分立二极管电学特性有何不同。 在实验中提供三种集成二极管，分别是N+/P衬底二极管、NWell/P衬底二极管和P+/Nwell 二极管。三种二极管的Layout结构如下图所示： 图3.1 集成二极管的Layout N+/P衬底二极管 NWell/P衬底二极管 P+/Nwell二极管 实验3.1 集成二极管I-V 特性仿真验证实验 图3.2 集成二极管电学特性测试电路 正向导通的二极管电流会随着正向偏压的变化而发生改变，在本实验中将测试集成二极 1 管的I-V特性曲线。实验选取面积为50um X 50um的P+/Nwell二极管进行验证，验证电路如 下图所示，将仿真测试电路搭建完毕后，对直流电压源进行DC分析，分析I-V特性曲线，测 试出流过二极管电流为 1uA,10uA,100uA,1mA 和 10mA 所对应的二极管的正向偏置电压，注意 测试的时候，电流不能偏离给定值的 5%，将仿真输出曲线记录下来，并将相关数据填入表格 3-1。 表格3-1 集成二极管I-V特性曲线 二极管 二极管 I-V特性曲线 类型 面积 V@1uA V@10uA V@100uA V@1mA V@10mA 电