陶瓷真空室研制及其阻抗的研究.pdfVIP

　第34卷第4期 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 34 ,No. 4 　2000年7月 Atomic Energy Science and Technology J uly 2000 陶瓷真空室研制及其阻抗的研究 尚 　雷,裴元吉 ,王相綦 ,冷用斌 ,王 　琳 ,樊宽军 ( 中国科学技术大学 国家同步辐射实验室,安徽 合肥　230029) 摘要 :介绍了电子储存环注入凸轨冲击磁铁及其真空室常采用的几种技术方案。合肥电子储存环 新凸轨注入系统选择了铁氧体磁铁内置陶瓷真空室的方式。为了同时满足脉冲磁场穿透性能及 束流耦合阻抗的要求 ,陶瓷真空室的内壁须镀 1 层金属薄膜。对已制备的镀膜和无镀膜陶瓷真空 室尾场函数及损失因子进行了测量 ,并对结果进行了拟合计算 ,得到陶瓷真空室宽带阻抗模型的 有关参数。结合已进行的脉冲磁场穿透性能的结果 ,确立了改进的镀膜参数。 关键词 :冲击磁铁 ;陶瓷真空盒 ;镀膜 ;尾场函数 ;损失因子 ;宽带阻抗 中图分类号: TN1042 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :(2000) 根据不同的应用 , 电子储存环的注入凸轨冲击磁铁及真空室有几种技术方案。传统的作 法是采用空气芯线圈 ,在不锈钢超高真空室内放置单匝电流板线圈 , 以产生所需要的脉冲磁 场。但这种方式励磁效率低 ,体积大 ,真空室结构不连续 ,相对于其他真空管道的损失阻抗较 大[1 ,2 ] 。Dortmunt 大学研究人员为 15 GeV 储存环 DEL TA 设计了 1 种新的缝隙型结构[3 ] , 它中间的两条金属板离束流较近 ,通过大部分镜像壁电流。这种结构的特点是耦合阻抗低 ,损 失因子比普通空气芯磁铁小至少一个量级 , 且结构简单 , 易于实现。SLAC 也准备在 NLC ( ) ( ping ring) 中采用这种结构。这种结构的缺点仍是励磁 next linear collider 的2 种阻尼环 dam 效率不高 ,要获得较大宽度的好场区 ,场形设计难度较大。 在第 3 代同步辐射光源储存环中广泛采用了铁氧体磁铁内置陶瓷真空室的方式[4 ,5 ] 。使 用陶瓷真空室的原因是使脉冲磁场能够穿透真空室壁 ,避免涡流损耗及磁场波形畸变。陶瓷 真空室内壁须镀 1 层很薄的金属膜 , 以维持壁电流的连续性,从而减少束流耦合阻抗。因金属 膜会产生涡流损耗 ,因此 ,镀膜不能太厚。可以选择非均匀镀膜方式使镀膜中具有一些绝缘条 纹 ,这样 ,既可减少涡流损耗及场畸变 ,又能维持较小的束流耦合阻抗。 合肥电子储存环新凸轨注入系统项目中选择了陶瓷真空室内壁镀膜的技术方案 ,并进行 了陶瓷真空室金属化焊接实验及镀膜实验。对镀膜造成的磁场损耗、波形畸变及均匀性变化 等影响进行了理论分析与实验测量[6 ,7 ] 。本工作在此基础上 ,对真空室的纵向耦合阻抗进行 测量 ,结合磁场的分析与实验结果 ,确立进一步改进的镀膜参数。 收稿日期 ;修回日期 ( ) 作者简介 : 尚　雷 1968 — ,男 ,安徽阜阳人 ,副研究员 ,博士 ,核技术及应用专业 © 1994-2006 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 第4期 　　尚 　雷等 :陶瓷真空室研制及其阻抗的研究 303 1 　实验方法 为了测量陶瓷真空室及其他真空管道的阻抗 ,采用电流模拟法 ,并建立了一纵向阻抗测量 系统[8 ] 。该系统可自动测量纵向尾场函数、能量损失因子、纵向阻抗 ,具有高斯电流脉冲宽度 连续可调、精度高、定时准确等特点。 无镀膜陶瓷真空室、镀膜陶瓷真空室、内径 35 mm 突变不锈钢管道、无镀膜陶瓷真空室外加 导电铝箔、镀膜陶瓷真空室外加铁氧体磁铁和镀膜陶瓷真空室外加导电铝箔的形状示于图 1 。 图 1 　测量的几种真空室