第15章半导体存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

* * 第15章 半导体存储器与 可编程逻辑器件 第1节 半导体存储器 第2节 可编程逻辑器件 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 退 出 第15章 半导体存储器与可编程逻辑器件 开 始 作 ？业 随集成技术的发展，半导体存储器已成为当今数字系统中不可缺少的组成部分；可编程逻辑器件(PLD)是指采用阵列逻辑技术生产的可编程器件，可编程只读存储器(PROM)，是可编程逻辑器件（PLD）的早期产品之一 。除了PROM之外还有，可编程逻辑器件还有：可编程逻辑阵列(PLA)、可编程阵列逻辑(PAL)和通用阵列逻辑(GAL)。 半导体存储器从功能上来分，可分为：随机存储器 （RAM）、只读存储器（ROM）两类。RAM主要用来存放各种现场的输入数据、输出数据和中间计算的结果，还可以用来与外界交换信息和作为堆栈使用。它的存储信息可按要求读出，也可写入或写出。ROM的信息是在专门条件下写入的，一般是不可删除更改的，只能读出，一般用来存放固定信息。 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1 半导体存储器 1.RAM的基础结构 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 如图15.1.1所示 地址输入端 数据输入端 3个控制输入端 数据输出端 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 当片选信号 有效时，若 同时有效，则已选择的信息被传递到数据输出端；若 同时有效，则数据输入端的信息被写入。 按存储矩阵的存储原理不同，RAM可细分为静态（Static RAM，简称SRAM）和动态(Dynamic RAM，简称DRAM)两类。在不断电的情况下，存入SRAM存储单元的信息会一直保留直到新的信息写入；而存入DRAM存储单元的信息需要通过再次读写来定期刷新，以免信息丢失。下面将分别进行讨论。 2.静态RAM 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 能储存1位二进制的单元电路称为基本存储电路，它是存储器的基本单元电路。图15.1.2所示是用六只NMOS管组成的静态存储单元。 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 Tl—T4构成基本RS锁存器用以存信息，T5、T6为门控管受Xi选择线控制用来决定本存储单元是否与位线 相连，导通则可把位线上送入的信息写入本单元，或将本单元所存信息送到位线上，而截止则本单元与位线隔离，读或写的过程与本单元无关；T7、T8为控制信息送入位线或从位线输出的控制门，此控制门由列选择信号Yj来控制。由此可看出，只有当T5、T6和T7、T7都导通时，本单元才被选中，才能写入信息或读出信息。 （1）读操作过程 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 （2）写操作过程 （3）动态RAM 动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极电容的电荷存储效。MOS管是高阻元件，即它的极间电阻极高，存储在极间电容上的电荷，会因放电回路时间常数很大而不能马上放掉，即电荷不会很快丢失。动态存储单元正是利用MOS管的这一特性来存储信息的。图15.1.3是个三管动态单元，它利用T1管栅极电容C,以电荷形式存储二进制数的。 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 动态RAM的优点：电路结构简单，集成度较高，比静态RAM的功耗更低，速度 比静态RAM更高，价格比静态更便宜。因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在有泄漏电流，故要求刷新。一般每隔2毫秒刷新一次，这一任务通常由专门的刷新电路完成。另外，由于电容信息较弱，读出时需经放大器处理。 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退 出 开 始 15.1.1 随机存储器 静态随机存储器（RAM） 1.ROM的基本结构 主菜单 回 退 前 进 最 后 返 回 作 ？业 退