单片机原理与应用(第二版） 第7章 MCS51单片机系统的扩展.ppt

第7章 MCS-51单片机系统的扩展 学习目标 学习重点 主要内容 7.1 存储器扩展基础 7.1 存储器扩展基础 7.1 存储器扩展基础 7.1 存储器扩展基础 扩展一片6264（8KB）SRAM如图7-8所示。 7.3.1常用的数据存储器芯片 MCS-51单片机中的8051、8031和8751片内含有128B的数据存储器。CPU对内部数据存储器具有丰富的操作指令，这个片内数据存储器是十分珍贵的资源，可以作为工作寄存器、堆栈、软件标志和数据缓冲器使用，用户应合理地分配、充分地利用片内数据存储器，发挥它的作用。 但在实时数据采集和处理的MCS-51应用系统中，仅片内提供的数据存储器往往不够用，这就需要常常在片外适当地扩展数据存储器。常用的数据存储器有静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）和E2PROM，其中E2PROM前面已作过介绍，下面介绍SRAM和DRAM。 常用的SRAM芯片有Intel公司6116、6264、62128等系列产品。其主要性能如表7-5所示。6116、6264、62128的引脚排列如图7-7所示。 7.3 数据存储器扩展 由产品型号而定:例如6264-10为100ns、6264-12为120ns、6264-15为150ns。 存取时间/ns 0.5 2 5 典型维持电流/μA 8 40 35 典型工作电流/mA 5 5 5 工作电压/V 28 28 24 引脚数 16 8 2 容量/KB 62128 6264 6116 型 号 表7-5 常用静态RAM主要技术特性 图7-7 静态RAM 6116、6264、62128芯片引脚图 7.3 数据存储器扩展 A0～Ai：地址输入线。 I/O0～I/O7：双向三态数据线。 CE：片选信号输入线。在为低电平时才能选中该片； OE：读选通输入线。低电平有效； WE：写允许信号输入线。低电平有效； Vcc：工作电源+5V； GND：地线。 6264的工作方式见表7-6。SRAM芯片能随机进行读/写，其条件是片选信号CE必须有效，由读出允许信号和写入允许信号来决定是读操作还是写操作。 7.3 数据存储器扩展 DOUT VIH VIL VIL 读 DIN VIL VIH VIL 写 高阻 VIH VIH VIL 输出禁止 高阻 X X X 未选中 高阻 X X VIH 未选中 I/O7～I/O0 WE OE CE 引脚 工作方式 表7-6 6264的工作方式 7.3 数据存储器扩展 7.3.2 数据存储器的扩展 ● 1. 8031单片机数据存储器的扩展 图7-8 一片6264作为外部数据存储器与51单片机的扩展连接 7.3 数据存储器扩展 ● 2.外部数据存储器的扩展要点 ① MCS-51单片机的外部数据存储器的地址空间为64KB，地址范围从0000H～FFFFH，与程序存储器的空间完全重叠。但因各自使用不同的指令和控制信号，因而是不会产生冲突的。而扩展的I/O口和外围设备均占用外部数据存储器的地址空间，此时则是需要统一考虑的。 ② 扩展外部数据存储器仍然需要在P0口连接地址锁存器，以锁存低8位地址信号。当同时扩展有外部程序存储器时，地址锁存器可合用一个。ALE仍作为地址锁存信号。 ③ 从图7-8可见，在外部数据存储器读/写周期中，PSEN信号无效，RD和WR信号作为外部数据存储器的读/写控制信号。 ④ 访问外部数据存储器时，仅可以使用4条MOVX类寄存器间接寻址指令。 7.3.3多片存储器的扩展 多片存储器的扩展，包括多片程序存储器、多片数据存储器和程序数据存储器的混合扩展。图7-9所示同时扩展一片RAM 6264和一片EPROM 2764的连接图。 它们的地址分配如下： RAM 6264：0000H～1FFFH。 EPROM 2764：8000H～9FFFH。 7.3 数据存储器扩展 图7-9 程序和数据存储器同时与51单片机的扩展连接 7.4 并行I/O接口的扩展 MCS-51系列单片机内部有4个双向的并行I/O接口P0～P3，共占32根引脚。有关4个端口的结构、功能及驱动能力等详细说明，在前面的有关章节中已作介绍，这里不再赘述。 在无片外存储器扩展的系统中，这4个接口都可以作为准双向通用I/O接口使用。在具有片外存储器扩展的系统中，P0口分时地作为低8位地址线和数据线，P2口作为高8位地址线，这时，P0口和P2口无法再作为通用I/O口了。P3口具有第二功能，在应用系统中也常被使用。因此在大多数的应用系统中，真正能够提供给用户使用的只有P1和部分P3口。 综上所述，MCS-51单片机的I/O接口通常是需要扩充的，