包一、QLED器件命测试系统.docVIP

包一、QLED器件寿命测试系统 序号 仪器名称 技术参数与要求 1 QLED器件寿命测试系统 1．设备的主要用途、功能及特点 本系统是针对QLED亮度电流电压(L-J-V)和器件寿命测试的一体化系统,可以即时显示电压、电流、亮度等测试参数和测试曲线，并可以在不同测试通道中切换并定时自动进行数据采集，极大地方便了器件的寿命测试。 2．技术参数及指标（带*者为必须具备指标） 2.1* N6705B型直流电源分析仪配备四通道精密直流电源模块。 2.2* 精密电源/测量单元电压最高为50 V，电流最高为3 A，完全满足器件驱动和测试的要求。 2.3* 内置电压表精度高达0.025%+50 μV， 高达18 bits。 2.4* 内置安培计精度高达0.025%+8 nA，高达18 bits。 2.5同时自带示波器和任意波形发生器，可以满足更多样的驱动和测试需求。 2.6* 818-UV/DB型UV增强硅光电探测器可以在200-1100nm波段实现准确地接收和测试，覆盖了整个可见光段及近紫外和近红外发光的测试需示。 2.7* 探测器有效探测面积为1 cm2。 2.8*各波段最大可探测强度分别为：0.2 W (200-400 nm)；50 mW (400-1100 nm)。 2.9* 各波段测试误差分别为：4%(200-219 nm), 2%(220-349 nm), 1%(350-949 n