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【注意】 【注意】 第四章 常用半导体器件原理 1、夹断区的加长并不意味着iD将下降为零或减小。 （因为若iD=0，夹断区也不复存在。） 2、夹断区加长，沟道电阻加大，但沟道电阻的增长速率与uDS的增加速率基本相同，所以这一期间iD趋于一恒定值，不随uDS增加而增加。 3、uDS不能无限制增加，否则会引起靠近漏极附近的耗尽区的击穿。 第四章 常用半导体器件原理 （3）G、S间加反向电压，D、S间加正向电压 N D S P＋ P＋ G G、S间加反向电压，使耗尽层变宽，导电沟道变窄 D、S间加正向电压，使耗尽层和导电沟道进一步变得不等宽 第四章 常用半导体器件原理 3. N沟道结型管的特性曲线 （1） 输出特性曲线 可变电阻区 预夹断轨迹线UDG=-UGS(off) 夹断区 （截止区） 放大区 （恒流区） 击 穿 区 ▲ 可变电阻区： 表示管子预夹断前电压电流的关系。 特点：iD与uDS成线性关系，但斜率由uGS控制 这时将FET的D、S之间可以看成一个由uGS控制的可变电阻 第四章 常用半导体器件原理 可变电阻区 夹断区 放大区 （恒流区） 击 穿 区 这是可将iD近似看成一个受uGS控制的电流源 ▲ 恒流区： 表示管子预夹断后电压电流的关系。 特点：iD基本不随uDS变化而变化，仅取决于uGS的值 预夹断轨迹线UDG=-UGS(off) 第四章 常用半导体器件原理 可变电阻区 夹断区 放大区 （恒流区） 击 穿 区 ▲ 夹断区： 沟道完全夹断 FET截止 预夹断轨迹线UDG=-UGS(off) 第四章 常用半导体器件原理 可变电阻区 夹断区 放大区 （恒流区） 击 穿 区 ▲ 击穿区： 当uDS太大时，反向偏置的PN结被击穿，iD突然剧增 预夹断轨迹线UDG=-UGS(off) 第四章 常用半导体器件原理 （2） 转移特性曲线 饱和漏极电流IDSS是在uGS=0时的漏极电流。 第四章 常用半导体器件原理 4.5.2 绝缘栅场效应管(IGFET) 绝缘栅场效应管通常由金属(Metal)、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）制成，简称MOS管。 N＋ N＋ G B P型衬底 D S 增强型 N＋ N＋ G B P型衬底 D S 导电沟道 耗尽型 ［例］双向限幅电路，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V，交流电阻rD ? 0。画出输出电压uo的波形。 第四章 常用半导体器件原理 t u i (V) 0 5 - 5 R E + - + - 2 V D 2 E 2 V D 1 假设二极管断开 D1二极管两端电压 D2二极管两端电压 第四章 常用半导体器件原理 R E + - + - 2 V D 2 E 2 V D 1 D1二极管两端电压 D2二极管两端电压 D2截止 D2导通 D1截止 D1导通 D2导通,D1截止 D2截止,D1截止 D1导通,D2截止 u i D 1 D 2 R 2 R 1 u o + - A A / D 5 V D 1 D 2 R 【例 】二极管限幅电路应用 第四章 常用半导体器件原理 3.电平选择电路 第四章 常用半导体器件原理 导通 截止 导通 导通 输入 二极管的工作状态 输出 导通 导通 导通 截止 或门电路 第四章 常用半导体器件原理 4.3.4 稳压二极管 1. 稳压管的基本特性 在击穿区，流过管子的电流在一定范围内变化时，管子两端电压基本不变。 导通区 截止区 击穿区 稳定电压UZ 最大工作电流 最小工作电流 稳压二极管稳压电路 ui——输入电压，且uiUZ uo——输出电压，且uo=UZ RL———负载电阻 R———限流电阻 当ui变化或RL变化时，uo保持不变———稳压 ui ＋ — ＋ — uo=UZ IL IZ I 第四章 常用半导体器件原理 第四章 常用半导体器件原理 ui ＋ — ＋ — uo=UZ IL IZ I 设ui的最小值为Uimin，最大值为Uimax； 再设RL的最小值RLmin，最大值为RLmax。 当ui，RL变化时，VZ中的电流应满足 IZminIZIZmax 稳压二极管稳压电路 第四章 常用半导体器件原理 ui ＋ — ＋ — uo=UZ IL IZ 当ui=Uimin，RL=RLmin时 — I 第四章 常用半导体器件原理 ui ＋ — ＋ — uo=UZ IL IZ I 当ui=Uimax，RL=RLmax时 — ［例］稳压二极管电路如图所示，稳定