氮化铜薄膜的半导体特性.pdfVIP

第六届奎目表面工租学术奢截 兰州 2006年8月 氮化铜薄膜的半导体特性 岳光辉，王明旭，渠冬梅，闫鹏勋+ 兰州大学等离子体与金属材料研究所兰州730000 摘要：本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(cu3N)纳米薄膜．运用四探针法测量 了薄膜的电学和半导体特性，证明了实验制备得到的cusN薄膜是一种n型半导体，禁带宽度约为 1．18-2．6ev． 关键词：Cu3N薄膜，电阻率，四探针法，霍尔系数 1、引言 氮化铜是一种以共价键结合的3d型过渡金属氮化物材料。其较高的电阻率、较低的热分解温 度和独特的光电特性在光存储器件和高速集成电路应用方面备受瞩目。氮化铜晶体首次于1939年 构，点阵常数为3．815A。氮化铜晶体中的铜原子并没有占据(111)面的密堆积位置，这种具有体心 空位的晶体结构为改变材料的性能提供了可能性，如果其它原子填隙到晶体的体心，将会引起其电 学和光学性质的显著变化。作者及其研究小组研究了氮化铜薄膜的半导体特性发现它属于n型半导 体B 定向的外延薄膜。Mamyama等人”1研究了用射频反应磁控溅射法制备的cu3N薄膜的电学及光学特 性。1989年美国J．Bluchar等网应用直流等离子体氮化法获得具有氮化铜间隙相的薄膜材料。氮化 铜纳米薄膜材料的开发和应用主要体现在其较低的热分解温度和其在红外和可见光波段的低反射 率上，氮化铜材料的低温热分解特性”1表明其可进行金属化反应”1，这对电子工业具有非常重要的 意义。Nosaka等人【1”用电子束刻蚀方法在氮化铜薄膜表面得到了铜的斑点和铜线；Asano等人“” 尝试用半导体激光(780hm,7row)在氮化铜薄膜上进行光记录。氮化铜晶体处于亚稳态或非稳态相， 度为95％、温度为60。C的条件下放置15个月后与原来相比投有发现有任何光学性能的改变。 作者及其研究小组运用反应射频磁控溅射法，成功制备了纳米结构cu3N薄膜．对其电学、 半导体特性进行了初步研究和探讨。 2、实验方法 用反应射频磁控溅射法，在玻璃基底上制备氮化铜薄膜。溅射的靶材为99．999％的高纯铜靶， 氮气和99．999％的高纯氩气，分别使用质量流量计控制；衬底在放入真空室之前，分别用丙酮、酒 精超声清洗，溅射前将真空室气压抽到低于lxlO-aPa。开始溅射时，先充人氩气，对基底及铜靶表 面的杂质进行5分钟预溅射，以便清洗靶和基底表面；随后通入氮气，控制总溅射气压在1Pa-2Pa 之间。我们得到不同的氮气流量以及在衬底温度为1007的条件下制备的Cu3N薄膜，并对其电学 和半导体特性进行研究。 ’通讯作者Bmail：—oxvan@lz—u．edu．cn 基金项目：甘肃省自然科学基金重点项目资助，编号(zs02]-A25-022-C) 415 第六届奎一囊膏工曩学,lUlt．蔓 兰，II 2006年B焉 用四探针仪和高阻仪表征了薄膜的室温电阻率。采用四探针法在磁场强度为2600G、电流强 度为6A的条件下，从100K到300K对我们制备得到的薄膜进行测量。 3、实验结果与讨论 一g曼j善i。￡ Nitrogenflowrate抽∞ml 图1．制备得到的cu3N薄膜电阻率和晶格常数随氮气流量变化关系。 audthelatticeconstantasarun,ionofthe flowrate． Fig．1．Resistivity nitrogen 图1是在基底温度为100。C、溅射功率为340W，不同氮气流量下制备得到的cu3N薄膜的电 是高出了很多。在室温下