《光电检测技术第二版》中国计量出版社第二章课件续.pptVIP

* * 半导体的导电机构 1.电子和空穴 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴。 半导体导电的电流计算与金属导电不同，半导体导电一般为电子和空穴同为导电粒子，而且形成的电流方向相同，应该把电子形成的电流与空穴电流相加才是实际电流 2.杂质的影响 (1) n型半导体 四价的本征半导体 Si、Ge等，掺入少量五价的杂质元素（如P等）形成电子型半导体,称n型半导体. n 型半导体 在n型半导体中 Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 电子……多数载流子 (2) p型半导体 四价的本征半导体Si、Ge等，掺入少量三价的杂质元素(如B、Ga、In等)形成空穴型半导体，称p型半导体。 p 型半导体 在p型半导体中 电子……少数载流子 空穴……多数载流子 Si Si Si Si Si Si Si B + 3.电阻率和温度的关系 电阻与温度的关系 导体的电阻率随 温度的升高而增大. 金属 半导体的电阻率随温度的升高而急剧地下降.由于半导体中的电子吸收能量后，受激跃迁的数目增多. 利用半导体的这种 性质可以制成热敏电阻. 半导体 光电检测技术基础 4、 PN结 当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在它们交界的地方就要发生电子和空穴的扩散运动。 p区空穴多电子少，n区电子多空穴少，因此p区中的空穴将向n区扩散，n区的电子将向p区扩 散，在交界处形成正负电荷的积累层，在p区的一侧带负电，在n区的一侧带正电，这一电偶层形成的电场将遏止电子和空穴的继续扩散，最后达到动态平衡. 在p-n结处形成一定的电势差 . p n p n p-n结 光电检测技术基础 由于空间电荷区存在着电场，所以在空间电荷区的两边就有电位差，这个电位差叫做接触电位差，通常也称为内建电势。一般硅PN结的接触电位差为0.5-0.8V，锗PN结的接触电位差为0.1-0.3V． p n p n p-n结 光电检测技术基础 PN结的单向导电特性 如果在PN结上加一电压，当P区接正而N区接负时就有一定的电流通过，并且随外加电压的升高电流迅速增大,这时的外加电压称为正向电压或正向偏置电压； 当P区接负而N区接正时，电流就很微小并且电流数值与外加电压关系不大。这就是PN结的单向导电特性。 这时的外加电压称反向电压或反向偏置电压。 正向连接 p n 当p-n结正向连接时，外电场方向与p-n结中的电场方向相反，结中电场减弱，势垒降低，扩散增强，形成正向电流. 正向电流随正向电压的增加而迅速上升。PN结表现为一个很小的电阻。 当p-n结反向连接时，外电场方向与 结中的电场方向相同，结中电场增强，势垒升高，扩散减弱，少数载流子形成反向电流。 n p 反向连接 光电检测技术基础 实际上，PN结在反向工作时还有一定的微小电流，这是由P区少数载流子(电子)和N区少数载流子(空穴)在电场力的作用下形成的．称为PN结的反向电流，它的大小与外加电压基本无关，但它随温度而变化． 反向电流一般很小(因P区的电子和N区的空穴很少)，PN结表现为一个很大的电阻，所以仍认为PN结外加反向电压时基本上不导电．