电工学电子技术复习资料带答案.docVIP

本文由关岭民中贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 一．选择填空 1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2．P 型半导体中空穴是 A ，带 C A.多数载流子 B. 少数载流子 3．N 型半导体 A.带正电 C ,而少数载流子的浓度 D.晶体缺陷 B ，带 D. 负 D 电。 电；自由电子是 C. 正 。 C ，P 型半导体 C B.带负电 C.呈中性 B 4．当 PN 结外加正向电压作用下，内电场 A.增强 B.削弱 C.大于 5．当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A.大于 B.小于 C.等于 E.变窄 F.不变 A ；扩散电流 D.小于 C 漂移电流。 漂移电流，耗尽层 D.变宽 E 。 6．用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各电极相对 于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三 极管工作在 C 状态。 A.倒置 B.截止 C.饱和 D.放大 7．温度升高后，半导体三极管的电流放大系数 β 将 A.变大 B.变小 C.不变 A ，穿透电流 ICEO A 。 8．三极管的穿透电流 ICEO 是集—基反向饱和电流 ICBO 的 C 一般希望 ICEO 尽量 D 。 A.1/β B.β C.（1＋β） D.小 9．右图所示电路中，稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 7V，正向压降均为 0.7V,且具有理想的稳压特性， 则输出电压 U0 为 D 。 A.6V B.7V C.13V D.1V 10．设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V，正向 压降均为 0.7V，则右图电路的输出电压 U0 为 C 。 A.5V B.8V C.13V D.3V 倍，在选用管子时， E.大 11．某三极管 PCM 100mW，ICM 20mA，U BR CEO 15V，能正常工作的是 A. UCE 3V，IC 10mA B. UCE 2V，IC 40mA C. UCE 6V，IC 20mA D. UCE 20V，IC 4mA A 。 1 12．三极管工作在饱和区时，b-e 极间为 A ,b-c 极间为 A ；工作在 放大区时，b-e 极间为 A ,b-c 极间为 B ；工作在截止区时，b-e 极间 ,b-c 极间为 B 。 为 B A.正向偏置 B. 反向偏置 C.零偏置 13.单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察 uo 和 ui 的波形。当放大电 路为共射电路时，则 uo 和 ui 的相位 相位 A A.同相 。 B.反相 C.相差 90 0 B ；当为共集电极电路时，则 uo 和 ui 的 D.不定 C ， 分解为共模输入信号 uic＝ 14． 差动放大电路， ui1＝300mV, ui2 200mV 时， 当 一对差模输入信号 uid1＝－uid2＝ A.500mV B.100mV D 。 C.250mV D.50 mV B 15. 如果要求输出电压 U0 基本稳定，并能减小输入电阻，应引入 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈 16. 如果要求输出电流 I0 基本稳定，并能提高输入电阻，应引入 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈 17．在图示电路中，若 U2 20V,则 UO A.20V B.18V C.9V B 。 D.24V 负反馈。 C 负反馈。 18. 图示整流电路中，由于整流管是串联的，故每管的 最大反向电压 URM 为 C 。 A. 2 U2 2 B. U 2 C. 2U 2 D. 2 2U 2 19．TTL 与非门电路的电源电压值、输出电压的高、低电平值依次为 A 。 A.5V, 3.6V， 0.3V B.10V, 3.6V, 0.3V C.5V, 1.4V, 0.3V 20. 三态与非门输出端的第三种状态指的是 A 。 A.高阻状态 B.饱和状态 C.高电平状态 D. 低电平状态 2 二．填空 1．硅二极管的死区电压约 0.5 V，正向压降约 0.6～0.8 V，锗二极管的死区电 压约 0.1 V，正向压降约 0.2～0.3 V。 2．在二极管上加反向电压时，形成很小的反向电流。反向电流有两个特点：一是 随温度的上升 增长很快 ；一是当外加反向电压过高时，反向电流 突然增大 ， 二极管失去 单向导电 性，这种现象称为 击穿 。 3．当放大电路静态工作点 Q 位置偏高，同时输入信号幅度相对较大时，放大电路 将产生 饱和 失真；当放大电路静态工作点 Q 位置偏 低 ，同时输入信号幅度相 对较 大 时，放大电路将产生截止失真。 输出电阻 低 。 4