电路基础与集成电子技术电子教案与习题解答蔡惟铮 第16章 半导体存储器和可编程逻辑器件 16.3 随机存储器RAM.pptVIP

16.3.1.1 存储矩阵 当所要存储的信息量大于RAM的存储容量时，往往把多片RAM组成一个容量更大的存储器，以满足实际工作的需要。扩容后每次只与其中的一片或几片交换信息，这种信息的交换就是通过片选控制端 进行控制的。 当 =L时，表示该片RAM被选中，处于读或写的工作状态；未被选中者 =H，输入/输出端均处于高阻态，虽然挂接在总线上，也不能进行数据交换。 * 第16章 半导体存储器与可编程逻辑器件 2010.03 16.3 随机存储器 16.3.1 静态RAM的结构和工作原理 16.3.2 集成RAM RAM是Random Access Memory的缩写，通常称为随机存储器，也称为读写存储器。它的特点是在工作过程中，数据可以随时写入和读出，使用灵活方便，但所存数据在断电后消失。 RAM按着工作原理分为: 1. 静态随机存储器SRAM：只要不断电，数据不丢失 2. 动态随机存储器DRAM：通电时要不断对存储的数 据进行刷新，否则数据丢 失 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路组成，RAM的读、写操作由读/写控制电路管理。 RAM的核心是基本存储单元，其结构有双极型和MOS型两种，双极型的已经很少使用。 16.3.1 静态RAM的结构和工作原理 SRAM的存储矩阵由许多存储单元构成，每个存储单元存放一位二进制码，“0”或“1”。与ROM 存储单元不同的是，RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是由外部的信息决定的。要存储这些信息，RAM存储单元必须用具有记忆功能的电路，如触发器等电路构成。 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路组成，RAM的读、写操作由读/写控制电路管理。 RAM的核心是基本存储单元，其结构有双极型和MOS型两种，双极型的已经很少使用。 16.3.1 静态RAM的结构和工作原理 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读-写控制电路组成。如图16.3.1所示,RAM中的核心是存储单元，其结构有双极型和MOS型两种。 图16.3.1 RAM的结构框图 地址译码器是最小项译码器，也称为N中取一译码器，一个地址码对应一条字线。当某条字线被选中时，与该字线相联系的存储单元就与数据线相通，以便实现读取数据或写入数据。 图16.3.1 RAM的结构框图 SRAM的存储矩阵由许多存储单元构成，每个存储单元存放一位二进制码，“0”或“1”。 SRAM的存储单元与ROM 存储单元类似，但不同的是，RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是由外部信息根据工作需要随时写入的。要存储这些信息，RAM存储单元必须用具有记忆功能的电路，如触发器等电路构成。 当一个地址码选中相应的存储单元时，是读还是写，可采用高电平或低电平作为读写控制信号。当 时 ，执行读操作，RAM将存储矩阵中的内容送到I/O端； 当时 ，执行写操作，RAM将输入/输出端上的输入数据写入存储矩阵。在同一时间内不可能同时执行读/写指令，读和写的功能只能一项一项地执行。因此可以将输入线和输出线合用一条双向数据线（I/O），利用读/写控制信号和读/写控制电路，通过I/O线读出或写入数据。 16.3.2 集成RAM 以MOTOROLA公司生产的MCM6264为例，说明RAM的使用情况。图16.3.4为MCM6264的管脚图。其中A12～ A0为13根地址线，容量213×8 bit=64k；DQ7～DQ0为8位写入读出数据线，E1、E2 为片选端；G、W为读写控制端。功能表见表16.3。 图16.3.4 6264管脚图