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第6章 音频信号放大电路的设计 6.1 放大电路的基本知识 6.2 晶体三极管 6.3 单级放大电路 6.4 多级放大电路 6.5 负反馈放大电路 6.6 功率放大电路 6.7 音频放大电路的设计 3 输出电阻Ro 通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。放大电路存在电容、电感及半导体器件结电容等电抗元件,这些电抗元件对于不同频率的交流信号的阻碍作用大小不等,使电路对不同频率的交流信号的放大倍数不同。一般情况下,一个具体的放大电路只能放大一定频率范围的交流信号,这个频率范围就称为通频带。 通频带的宽窄表明了放大电路对频率的适应性。不同的放大电路要求有不同的通频带和频率范围,有的要求宽一些,以提高适应性,如扩音机,其通频带应宽于音频范围(20Hz~20kHz),才能完全不失真地放大声音信号;有的要求窄一些,如收音机中用到的选频放大电路,希望它只对单一频率的信号放大,以减小频带外信号对频带内信号的干扰。在电路设计中,可通过合理选择电路元件参数和设计电路结构来调整通频带及频率范围。 由于放大器件(晶体三极管、场效应管或集成电路)均具有非线性的特性,它们的线性放大范围有一定的限制,当输入信号幅度超过一定数值后,输出电压将会产生非线性失真。非线性失真是指输入信号为单一频率的正弦波,而输出信号中除了被放大了的正弦波以外,还产生了高次谐波,使得输出信号和原输入信号的形状不同了。 6.2.1晶体三极管的结构及类型 由图6-3可见,两种类型三极管的差别仅在发射极箭头的方向上。理解箭头的指向是代表发射结处在正向偏置时电流的流向,有利于记忆NPN型和PNP型三极管的符号,同时还可以根据箭头的方向来判别三极管的类型。 例如,当看到“ ”符号时,因为该符号的箭头是由基极指向发射极,说明当发射结处在正向偏置时,电流是由基极流向发射极。由此知道,当PN结处在正向偏置时,电流是由P型半导体流向N型半导体。由此可得,该三极管的基区是P型半导体,其他的两个区都是N型半导体。因此该三极管是NPN型三极管。 3.半导体三极管的型号 6.2.2 半导体三极管的放大作用 1. 三极管的工作电压 三极管要实现放大作用必须满足的外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压,即发射结正偏,集电结反偏。如图所示,其中V为三极管,UCC为集电极电源电压,UBB为基极电源电压,两类管子外部电路所接电源极性正好相反,Rb为基极电阻,Rc为集电极电阻。若以发射极电压为参考电压,则三极管发射结正偏,集电结反偏这个外部条件也可用电压关系来表示:对于NPN型:VCVBVE;对于PNP型:VEVBVC。 2 基本连接方式 三极管有三个电极,而在连成电路时必须由两个电极接输入回路,两个电极接输出回路,这样势必有一个电极作为输入和输出回路的公共端。根据公共端的不同,有三种基本连接方式。 (1)共发射极接法(简称共射接法)。共射接法是以基极为输入端的一端,集电极为输出端的一端,发射极为公共端,如图(a)所示。 (2)共基极接法(简称共基接法)。共基接法是以发射极为输入端的一端,集电极为输出端的一端,基极为公共端,如图(b)所示。 (3)共集电极接法(简称共集接法)。共集接法是以基极为输入端的一端,发射极为输出端的一端,集电极为公共端,如图(c)所示。 图中“⊥”表示公共端,又称接地端。无论采用哪种接法,都必须满足发射结正偏,集电结反偏。 3.电流放大原理 如图所示为三极管内部载流子运动的示意图。 ? 1)发射区向基区发射电子,形成发射极电流IE 2)电子在基区进行扩散和复合运动形成基极电流IB 3)电子被集电区收集的过程,形成集电极电流IC 以上式说明,在三极管中发射极电流IE等于集电极电流IC和基极电流IB之和。 对于PNP管,三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反。其内部载流子的运动情况读者可自己分析。 4.电流分配关系的测试 1)测试电路 图6-7所示为三极管各电极电流分配关系的测试电路。 分析实验测试数据,可得到以下结论: (1) 三极管各电极电流的关系满足 且IB很小,IC≈IE。 (2)IC与IB的比值基本保持不变,其大小由三极管的内部结构决定,定义该比值为共射极电路的直流电流放大倍数,用β表示,即 (3) IC与IB的变化量ΔIC与ΔIB的比值也基本保持不变,定义
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