电路与模拟电子技术 教学课件 作者 卜锡滨 第5章 半导体三极管电路.pptVIP

第5章 半导体三极管电路  主要内容： 半导体三极管的识别、检测和使用，半导体三极管放大电路及放大电路的应用，并介绍场效应管及其放大电路 教学重点：共射放大电路的计算 教学难点：共射放大电路的计算 5.1 半导体三极管 5.2 基本放大电路 5.3 其他形式的放大电路 5.4 放大电路的应用 5.1 半导体三极管 5.1.1 三极管的结构及特点 1. 三极管的结构 （a） NPN型原理图 （b） NPN型图形符号 （c） PNP型原理图 （d）PNP型图形符号 两个PN结、三个区、引出三个电极，加上外壳封装，就构成一个三极管。 三极管内部三个区分别称为：集电区、基区和发射区。与集电区相连接 的PN结称为集电结，与发射区相连接的PN结称为发射结。 三个区的电流关系是： 2. 常用三极管的特点 （1） 低频小功率三极管 （2） 低频大功率三极管 （3） 高频小功率三极管 （4） 高频大功率三极管 （5） 超高频三极管 （6） 开关三极管 （7） 差分对管 （8） 达林顿管 （9） 光电三极管 5.1.2 三极管的伏安特性及主要参数 1. 三极管伏安特性 （1） 输入特性 输入特性曲线在UCE≥1V后几乎重合， 且IB基本上由UBE确定。它和二极管的 伏安特性曲线近似，也有一段死区，只有 UBE大于死区电压时，才有基极电流IB， 三极管也才能导通，具有电流放大作用。 三极管导通时，硅管的发射结压降UBE一般 取0.7V，锗管的发射结压降UBE一般取0.3V。 （2） 输出特性 在基极电流IB为常数时，集电极电流IC 与集电极、发射极电压UCE之间的关系曲线， 如图所示。输出特性曲线可分为三个区： 截止区、放大区、饱和区，分别对应截止状态、 放大状态、饱和状态。 当三极管作放大元件时，必须工作在放大区， 要求：发射结正偏，集电结反偏，此时集电极电流 IC受基极电流IB控制。若三极管作开关元件， 则必须工作在截止区与饱和区。 2. 三极管主要参数 （1） 电流放大系数 和β 是三极管共发射极连接时的直流电流放大系数，定义为： β是三极管共发射极连接时的交流电流放大系数，它是集电极电流变化量 △IC与基极电流△IB的比值，即： （2） 穿透电流ICEO ICEO是当三极管基极开路时，集电极与发射极之间的电流，它受温度影响很 大，ICEO小的管子温度稳定性好 （3） 集电极最大允许电流ICM 三极管的集电极电流IC增大时，其β值将减小，当由于IC的增加使β值下 降到正常值三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM （4） 集电极最大允许耗散功率PCM PCM是三极管集电结上允许的最大功率损耗， （5） 反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CEO是三极管基极开路时，集电极与发射极之间的最大允许电压 （6） 特征频率：指β下降到1时三极管的工作频率 3. 三极管的工作状态 三极管工作时有三种状态，即截止状态、放大状态和饱和状态（以NPN为例） 截止状态 放大状态 饱和状态 5.2 基本放大电路 2. 各元件作用 （1） 三管极V是放大电路的核心元件，它在电路中起电流放大作用，它的工作 状态决定了放大电路能否正常工作； （2） 集电极直流电源VCC：为集电结提供反向偏置，同时，还为输出信号提供 能源。VCC一般为几伏至几十伏； （3） 集电极负载电阻RC：它将三极管集电极电流的变化转变为电压变化，以 实现电压放大；RC的阻值一般为几千欧。 （4） 基极偏置电阻RB：为三极管发射结提供正向偏置，产生一个大小合适的 基极直流电流IB；RB一般为几十千欧至几百千欧。 （5） 耦合电容C1和C2：C1和C2一方面起隔直作用，利用C1隔断放大电路与 信号源之间的直流通路；利用C2隔断放大电路和负载RL之间的直流通路；另一 方面又起耦合交流作用，使信号源提供的交流信号能畅通地送入放大电路。C1 和C2一般选用电解电容器，电容量为几十微法。 3. 工作