电子产品生产工艺实例教程 教学课件 作者 王成安 8.pptVIP

4．表面安装半导体器件 片状半导体器件有片状二极管、片状三极管、场效应晶体管、各种集成电路及敏感半导体器件。 （1）片状二极管 （2）片状三极管 （3）片状集成电路 （1）片状三极管的型号识别 我国三极管型号是“3A～3E”开头、美国是“2N”开头、日本是“2S”开头。目前市场上2S开头的型号占多数，欧洲对三极管的命名方法是用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管)，第二部分用C、D或F、L(C——低频小功率管，F——高频小功率管、D——低频大功率管，L——高频大功率管)；用S和U分别表示小功率开关管和大功率开关管；第三部分用3位数表示登记序号。如：BC87表示硅低频小功率三极管。还有一些三极管型号是由生产工厂自己命名的(厂标)，是不标准的。例如，摩托罗拉公司生产的三极管是以M开头的。如在一个封装内带有两个偏置电阻的NPN三极管，其型号为MUN2211T1。相应的PNP三极管为MUN2111T1(型号中T1也是该公司的后缀)。 （2）片状三极管及场效应管介绍 ①片状带阻三极管 片状带阻三极管是在三极管芯片上做上一个或两个偏置电阻，这类三极管以日本生产为多。各厂的型号各异。这类三极管在通信装置中应用最为普遍，可以节省空间。 ②片状场效应管 与片状三极管相比，片状场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、交叉调制失真小等特点。片批场效应管分结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(M0SFET)。JFET主要用于小信号场合，MOSFET既有用于小信号场合，也有用作功率放大或驱动的场合。可见，场效应管的外形结构与三极管十分相似，应注意区分，场效应管G、S、D极分别相当于三极管的b、e、c极。 片状JFET在VHF／UHF射频放大器应用的有MMBFJ309LTl(N沟道，型号代码为6U)，用在通用的小信号放大的有MMBF54S7LTl(N沟道，型号代码为M6E)等。它们常用作阻抗变换或前置放大器等。 片状MOSFET的最大特点是具有优良的开关特性，其导通电阻很低，一般为零点几欧姆到几欧姆，小的仅为几毫欧到几十毫欧。所以自身管耗较小，小尺寸的片状器件却有较大的功率输出。目前应用较广的是功率MOSFET，常用作驱动器，DC／DC变换器、伺服／步进马达控制、功率负载开关、固态继电器、充电器控制等。 （3）．片状集成电路 片状集成电路的封装有小型封装和矩形封装两种形式。小型封装有SOP和SOJ两种封装形式，这两种封装电路的引脚间距大多为1.17mm、1.0mm和0.76mm。其中SOJ占用印制板的面积更小，应用较为广泛。矩形封装有QFP和PLCC两种封装形式，PLCC比QFP更节省电路板的面积，但其焊点的检测较为困难，维修时拆焊更困难。此外，还有“COB”封装，即通常所称的“软黑胶”封装。它是将IC芯片直接粘在印制电路板上，通过芯片的引脚实现与印制板的连接，最后用黑色的塑胶包封。 片状集成电路与传统集成电路相比具有引脚间距小、集成度高的优点，广泛用于家电及通信产品中片状稳压集成电路种类较多。 目前常用的双列扁平封装集成电路的引线间距有1.27mm和0.8mm两种，引线数为8～32条，最新的引线间距只有0.76mm，引线数可达56条。 针栅阵列（PGA）与焊球阵列（BGA）封装是针对集成电路引线增多、间距缩小、安装难度增加而另辟蹊径的一种封装形式。它让众多拥挤在器件四周的引线排列成阵列，引线均匀分布在集成电路的底面，如图8.8（b）和图8.8（c）所示。采用这种封装形式使集成电路在引线数很多的情况下，引线的间距也不必很小。针栅阵列封装通过插座与印制板电路连接，用于可更新升级的电路，如台式计算机的CPU等，阵列的间距一般为2.54mm，引线数从52到370条或更多。焊球阵列封装则直接将集成电路贴装到印制板上，阵列间距为1.5mm或1.27mm，引线数从72到736以上。在手机、笔记本电脑、快译通的电路里，多采用这种封装形式。 板载芯片封装即通常所称的“软封装”，它是将集成电路芯片直接粘在PCB板上，同时将集成电路的引线直接焊到PCB的铜箔上，最后用黑塑胶包封。这种封装形式成本最低，主要用于民用电子产品，例如各种音乐门铃所用的芯片都采用这种封装形式。 二、表面安装的其他材料 1．黏合剂 2．焊锡膏 3．助焊剂和清洗剂 1．黏合剂 常用的黏合剂有三类：按材料分有环氧树脂、丙烯酸树脂及其他聚合物黏合剂；按固化方式分有热固化、光固化、光热双固化及超声波固化黏合剂；按使用方法分有丝网漏印、压力注射、针式转移所用的黏合剂。 2．焊锡膏 焊锡膏由焊料合金粉末和助焊剂组成，简称焊膏。焊膏由专业工厂生产成品，使用者应掌握选用方法。 (1)焊膏的活性，根据SMB的表面清洁度确定，一般可选中等活性，必要时选高活性或无活性级、超活性级。 （2）焊膏的黏度，根据