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GaInPGaAsGe三结叠层光电池光谱响应的温度特性.pdf
2009 年 第 54 卷 第 1 期 : 16 ~ 20
SCIENCE IN CHINA PRESS
GaInP/GaAs/Ge 三结叠层光电池光谱响应的温度特性
, , , , ,
, 071002;
, , 100083
E-mail: lliu@
2008-07-09 , 2008-10-05
Liu L, Chen N F, Wang Y, et al. Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell
Chinese Science Bulletin, 2009, 54(3): 353—357, doi: 10.1007/s11434-009-0058-x
要 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达 27.1%的 GaInP/GaAs/Ge 三结
叠层电池, 并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究. 通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收
边随温度升高发生红移, 这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应. 根据光谱响应数据计算得到
的 GaInP/GaAs/Ge 叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为 12.9, 13.7 和 17 mA/cm2, 且
叠层电池的短路电流密度的温度系数为 8.9μ A/(cm2 ·℃). 最后, 根据叠层电池的串联结构推导了其
电压温度系数为-6.27 mV/℃.
20 70 , . , ,
, Nishioka
, III-VI .
[1~3]
. GaInP/GaAs/Ge ,
, , GaInP/
, GaAs/Ge ,
III-VI 240 AM1.5
40.7%[4]. ,
, . . ,
, ,
. ,
, . 电池的禁带变窄效应也进行了讨论.
1 实验
.
, 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)技术制
, 备了GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池(5 m
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