改进缓冲层结构MOCVD无掩模横向外延制备CaN薄膜研究.pdfVIP

改进缓冲层结构MOCVD 无掩模横向外延制备GaN 薄膜的研究 1,2† 1 1 1 1 1† 张 帷 郝秋艳 陈贵峰 解新建 景微娜 刘彩池 2 2 2 冯玉春 郭宝平 卫静婷 (1 河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130 ； 2 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室， 光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳 518060) 摘 要：本文针对改进缓冲层生长条件，在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延（MOCVD ）方法对无掩模横向外 延（ELO ）GaN 薄膜进行了研究。实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案，再沉积低温GaN 缓冲层作为外 延层的籽晶层，最终沉积高温GaN ，制备出低位错密度的GaN 外延层。实验采用了插入中间温度缓冲层的方法，并 与采用常规的低温缓冲层的外延片进行了对比，文章分析了横向外延沉积的原理，并分别利用 x 射线衍射，湿法腐 蚀以及扫描电子显微镜对外延层进行检测，实验结果证明利用无掩模横向外延技术以及中温缓冲层结构，可以生长 出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN 薄膜。 关键词：GaN, 无掩模横向外延；金属有机物气相外延；蓝宝石（0001 ）衬底；中温缓冲层 1 引 言 第Ⅲ代半导体材料GaN 禁带宽度宽,具有很稳定的物理和化学性质，而且具有高热导、高电子饱 和速度、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，加之它有望制成在高温、辐射等恶劣 [1,2] 环境下工作的半导体器件，使之成为目前制备蓝光到紫外光波段发光二极管、激光器的首选材料 。 GaN 很难采用通常的体单晶生长方法制备晶体，一般在其它衬底上外延得到。由于缺乏晶格常 数匹配、热胀系数接近的衬底材料，要生长平坦、没有裂纹、低位错密度的高质量GaN 外延层是非 [3] 常困难的。而降低缺陷密度是提高GaN 基激光器性能和寿命的关键 ，人们一直致力于降低GaN 缺 陷密度的研究。因此有人提出采用选择性生长技术即侧向外延过生长技术（LEO ）生长外延层，GaN 4 2[4-6] 的位错密度可降低至约1×10 /cm 。Nakamura 采用了LEO 生长的GaN 衬底，使激光器的最小阈 2 值电流密度低达 1.2kA/ cm ,大大提高了寿命并实现了商品化。在阿拉斯加举行的“侧向外延过生长” 专题研讨会上报道了许多有意义的进展，如在硅衬底、纳米结构（小岛大小为 20～40nm ）的 SOI [7] 衬底、多孔GaN 衬底上进行GaN 的LEO 生长 。美国北卡罗来纳州立大学提出了一种GaN、AlGaN [8] 及其异质结的选择性侧向外延法，称之为悬挂式外延（PE） 。 LEO 技术的缺点显而易见的：要求实验精度高，多步工艺复杂和二次生长晶向倾斜高的缺点， 以及可能引入新的杂质会影响下一步外延层质量等等。 † 作者简介：张帷 （1981—），女，硕士研究生，从事半导体光电材料制备研究。 E-mail ：z 基金项目：广东省重点实验室和教育部光电子器件系统重点实验室基金支持。 † 通讯作者：刘彩池，教授，博士生导师，从事材料物理与化学方面的科研和教学工作。 E-mail ： liucaichi@ 38 本文主要介绍以蓝宝石做衬底，克服传统LEO 工艺的多步、复杂等缺点，采用无