瓦级输出功率的4H-SiC+MESFET研制.pdfVIP

瓦级输出功率的4H—SiCMESFET研制 潘宏菽，李亮．王同祥 河北半导体研究所 摘要：由于SiC材料的高电子饱和漂移速度、高击穿和高热导率等独特的优点，SiCMESFET住微波功 率等方面的应用正得到快速的发展。本文采用国产4H—SiC外延片，在2GHz下研制出输出功率1．3W、 功率增益6．5dB的功率SiCMESFET，并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析，给出了相应的 工艺和测试结果。 关键词：碳化硅；金属肖待基场效应晶体管；微波；输出功率；芯片；器件 of4H—SiCMESFEToverWattLevelofRF Power Development Output PAN Hong—shu，LILiang。WANTong—xiang Hebei Institute