ZnO压敏薄膜晶界效应研究的论文.pdfVIP

A．07 ZnO压敏薄膜晶界效应研惋 干月乐，陆慧’，林贤 (华尔理：l：大学理学院，上海200237) 摘要：对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试， 结果表明不同的热处理时间对薄膜的I．wllz线性特性有重要影响，熟处理时间延长，薄膜晶 界电阻不断下降。文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影 响。建立不同热处理时间。FZnO压敏薄膜晶界势垒模型，得出热处理时间对ZnO薄膜品界效应 的影响机理。 关键词：ZnO薄膜；压敏电压；势垒模型；晶界：热处理 1引言 ZnO薄膜是一种新型宽禁带化合物半导体材料，晶格结构为纤锌矿结构，为 极性半导体材料，主要呈n型导电，具有优良的电学、光学特性。在声表面波器 件、太阳能电池、光电器件、压敏、气敏元件等方面有较为广泛的应用前景和开 发潜力【11。而薄膜很多方面的性质主要决定于晶界效应【21，因此，了解ZnO薄膜 的晶界行为，研究晶界效应及其对薄膜功能特性的影响，对于开发新型多功能薄 膜器件具有指导性意义。 晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是各种杂质聚集的地方。由气相沉积法 制各的ZnO薄膜，其表面形貌为多孔性结构，晶粒主要沿C轴方向取向生长，．表 面呈针尖柱状【31，这种结构使薄膜极易从外界环境中吸附各种气体及杂质，而这 些气体及杂质大都聚集在晶界附近。从微观结构看，这些晶界处组分和结构的变 化使晶界两侧znO晶粒能带弯曲，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因，从 而使ZnO薄膜具有非线性I．v特性。与2氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化 或还原反应，其空间电荷分布发生变化【4l，决定了晶界势垒的高度变化。晶界势 垒效应决定了ZnO薄膜的压敏性能。 本文通过对ZnO薄膜一定温度不同热处理时间下的非线性1．V特性及交流阻抗 谱的测试，总结热处理对薄膜压敏性能及交流阻抗谱的影响规律，进而分析晶界 2·通讯联系人：Email：垃妞i@§g鲤§亟!婴：Tel：021 效应对薄膜压敏特性的重要作用，建立不同热处理条件下ZnO压敏薄膜晶界势垒 模型，旨在探索薄膜压敏电阻的传导机理。 2实验 实验中采用气体放电活化反应蒸发沉积技术(Gas activereaction discharge 极，纯金属锌粉做蒸发源，通入高纯氧气，维持氧分压在13Pa，以大电流蒸镀， 对放电环9D750．800V负高压，使氧气产生等离子体辉光放电，蒸发的锌被氧化， 并在加速电场的作用下向基片运动，沉积出ZnO薄膜。 采用AI．808p人工智能温度控制仪对薄膜热处理，由PSH．6006型低压直流电 源提供0．60V直流电压，测试薄膜I．V特性，并由HP．4284型精密电感、电容、电 阻测试仪测量不同温度下ZnO薄膜的交流阻抗谱，频率范围在1K-1MHz。 3结果与分析 3．1 ZnO薄膜的I．V特性曲线与交流阻抗谱 采用GDARE法制备的ZnO薄膜材料的压敏性能受热处理条件的影响很大，图 1为200℃下经不同时间热处理后的ZnO薄膜的I．V特性曲线。由图1可见，未经热处 理的ZnO薄膜没有表现出非线性特征，并且在所加电压范围内，电流极小；热处 理1．5h以后，‘薄膜获得良好的I．V非线性特性，非线性系数a为31．2；加热3．5h后， 薄膜的非线性效应明显减弱，非线性系数降至7．4，压敏电压也随之下降，漏电流 上升。图2给出对应热处理时间下ZnO薄膜的交流阻抗谱曲线，GDARE法制备的 ZnO薄膜为多孔性超细微粒结构，其总阻抗主要由晶界电阻、晶界电容及晶粒电 阻组成131，曲线右侧与实轴交点表示总阻抗，由于薄膜晶粒细小，晶粒电阻在总 阻抗中所占比例很小，故图线右侧与实轴的交点可近似看作薄膜的晶界电阻。图 2表明，薄膜的晶界特性对薄膜电学性能起主要作用。薄膜未经热处理时，晶界电 阻值很大，随着热处理时间的延长，一方面，对薄膜表面有清洁作用，另一方面， 薄膜的部分晶粒发生团聚、长大，使晶界减少，薄膜的晶界电阻呈下降趋势。可 见，热处理对于薄膜晶界特性有重要影响，以此改变薄膜导电性能，表1为实验测 试参数。 3．2吸附氧对ZnO薄膜晶界势垒的影响 GDARE法制备的ZnO薄膜