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162 计算机科学技术进展
ULSI芯片设计中提高动态电路噪声容限方法的研究
刘晓强；张伟，黄金明
(江南计算技术研究所，江苏无锡214083)
摘要：为了提高芯片的系统性能，动态电路已经广泛地应用于高性能ULSI芯片设计中。然而动态逻辑门不
具有与静态逻辑门相当的抗噪能力，在采用深亚微米工艺的ULSI芯片设计中，噪声的影响更加突出，为
了保证芯片运行的可靠性，使用动态电路首先要解决的就是动态电路的抗噪声干扰问题。本文在提高动
态电路抗噪能力的方法上作了比较全面地研究。首先，对一系列提高动态电路噪声容限的方法做了详细
的分析和仿真，然后提出了一种新的提高动态电路抗噪能力的方法。仿真结果表明新的方法在保持动态
电路速度不受影响的情况下，可以显著提高动态电路的抗噪能力。’
关键词：数字集成电路；ULSI动态电路；噪声容限，抗噪
On to Immuni
Circuit ty
TechniquesImprove．Noise
ofCMOS Logic
Dynamic
LIU Wei，HUANG
Xiao—qiang，ZHANGJin—ming
Instituteof 214083，China)
(Jiangnan Technology，Wuxi
Computing
CMOScircuitsare in ULSI in
Abstract：Dynamiclogic widelyemployedhigh-performancechipspursuinghigh
tO than
performance CMOSarele．ssresistantnoisesstaticCMOS
system now．However，dynamicgates gates．Un—
be forthereli—
der noisetoleranceof circuitshasto more
deepsubmicron．processtechnology，the dynamic important
able havebeen to the toler-
ofULSI the of enhancenoise
operationchips．Inpaper，lotsdesigntechniques proposed
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dynamic numberof arelistedanalyzed．T1len，we
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