InP基共振遂穿二极管(RTD)研究的论文.pdfVIP

第十五届全田化合物半导体．微波嚣件和光电量I件掌术。分议 I nP基共振遂穿二极管(RTD)研究 韩春林，薛舫时，高建峰、陈辰 (单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所，南京210016) 单晶片f：生长了RTD外延材料。我们采用电了束光刻工艺和空气桥互连技术，制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件 的电学特性：峰值电流密度24．6kA／cm2，峰谷电流比(PVCR)为8．6。并通过MATLAB软件对器件I—v测试曲线进行了数值拟合， 拟合结果与实验数据吻合的很好。 关键词：共振遂穿_二极管、空气桥、MATLAB 中图分类号：TN312．2文献标识码： 文章编号： ResearchonI nP—baseResonantTunneI i Di odes ng Han Chen Chun—Lin，Xue Fang—Shi，GaoJian—Feng，Chen resonant air Abstract：Wehavesucceededin tno53Gao47As／AIAs／InP technology fabricating tunnelingdiodes(RTDs)byusingbridge withelectronbeam theRTDwere on substrates epitaxialof semi—insulating(100)lnPby lithographyprocessing．Thelayers grown molecularbeam with currantdensitiesof24．6kA／cm2andto currentratioof8．6havebeen epitaxy(MBE)．RTDspeak peakvalley oftheRTDI-V MATLABsoftwarehasdone inanexcellentmatchto demonstratedatroom curvewith andresults temperature．Fitting the data。 experimental words：resonant Key tunnelingdiode，airbridge，MATLAB 室温下工作速度最快的固态电子器件，理论 1引言 上预计RTD最快转换频率可以达到 1．5．2．2THz[41，目前实际RTD最高振荡频率 共振隧穿二极管(RTD)是纳米电子器件 开发与应用最为活跃的领域之一，也是目前 已经达到712GHz[51，开关时间1．5ps[61；三是 为止研究得较为充分的器件。自从上世纪70在低功耗电路，通常RTD工作电流在mA量 年代江崎和朱兆祥观测到双势垒量子阱结构 级，通过改进材料设计，工作电流可以降到 的共振隧穿效应以来[1．3J，对RTD的研究已 pA量级，实现低压低功耗运行。 持续20多年。 InP基RTD在室温下具有大的峰一谷电 共振隧穿二极管(RTD)作为一种基于流差，而且有高的峰电流密度，以及超快的 电子共振隧穿通过双势垒结构的量子输运器 开关特性【7】；表现出了很高的跨导、噪声低 件，是当前发展最为成熟的纳米电子器件之 以及极高的频率等特性。由于InP材料的工