Yb离子注入掺杂GaN薄膜的结构与磁性研究.pdfVIP

Yb离子注入掺杂GaN薄膜的结构和磁性研究 尹春海 刘超 陶东言 曾一平 中国科学院半导体研究所 材料科学中心，北京 100083 摘要:采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型．p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb，并对样品进行了 900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质，在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有第二相出现，拉曼散 射结果表明离子注入引入的晶格缺陷不能通过快速热退火完全消除。GaN:Yb样品退火后都表现出室温铁磁性，p-型掺杂有助 于增强其铁磁性能。 关键词： GaN；稀磁半导体；室温铁磁性；离子注入 O472+.5;O484.4+3 A Researchonthestructuralandmagneticpropertiesof Yb-implantedGaNfilms ChunhaiYinChaoLiuDongyanTaoYipingZeng SemiconductorMaterialsScienceCenter,InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,Beijing,100083,China Abstract:MOCVDgrownn-type,P-typeandunintentionally-dopedGaNthinfilmswereimplantedwithYbbydoubleenergyion implantationandthesampleswererapidlythermalannealedat900°C.Thestructuralandmagneticpropertiesofthesampleshavebeen studied.NosecondphasehasbeenobservedwithinthedetectionlimitofXRD.TheresultsofRamanscatteringshowthatimplantation induceddefectscannotbecompletelyremovedbyrapidthermalannealing.Theannealedsamplesshowclearferromagneticbehaviorat roomtemperature,p-typedopingpromotesferromagnetism. Keywords:GaN； DilutedMagneticSemiconductor； RoomTemperatureFerromagnetism； IonImplantation 第十七一全田1弋音●■牛鼍-体、饿波器件和光电曩-件学术t-议 SRIM软件模拟结果表明Yb离子注入深度约 为150nm，平均浓度为】．4×1020／cm2。采用国 z(xx)2 产RTP-300型快速热退火炉在流动氮气氛保 Ib) 护下对上述样品做900℃下5分钟快速热退 麽瓣 火处理。采用XRD，Raman散射光谱和超导 JLO) 670^ 量子干涉磁强计(SQUID)等分析方法对样 ．n．|、参ic宴三 品结构和磁性能进行了测试和分析。 乔 3结果与讨论 渤、_’r_-，I 400 啪