CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料研究.pdfVIP

纳米科技发展——2006年上海纳米科技与产业发展研讨会论文选 CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究+ 张楷亮” 王良咏 宋志棠 封松林 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所，纳米技术研究室，半导体功能薄 膜材料工程技术研究中心，上海200050) 摘要：低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低，从而影响了抛光效率。为改善抛光 效率，大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原 料，采用离子交换一分水控制工艺，在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化， 并对其进行纯化研究。SEM结果表明：硅酸加料速度为影响粒径均匀的关键因素， 适当加料速度下可以制得30～100nm范围内均匀分散的不同粒径的胶体二氧化硅 研磨料。金属离子含量测试结果表明：通过离子交换纯化工艺可将胶体二氧化硅研 磨料的金属离子含量降低至64．72ppm，低于国内外同类产品，为其在抛光液和CMP 工艺应用提供了可能。 关键词：胶体二氧化硅；研磨料；CMP；大粒径 1 引言 化学机械抛光(chemicalmechanicalor polishing 是利用化学反应与机械研磨来达到平坦化目的的半导体制程关键工艺之一，也 是目前唯一可以实现全局平坦化的工艺方法，在IC制程工艺中得到了广泛的应 用，涉及硅衬底、氧化物介质层及互连材料的去除及平坦化【I~3J。CMP工艺中 同时涉及化学反应和机械研磨两方面作用，抛光液中的化学添加剂是化学反应 的主要驱动力，抛光液中研磨料则对机械研磨有着重要的影响，因此抛光液在 CMP的工艺中扮演非常重要的角色。目前常用的抛光液主要包括以Si02、A1203 及Ce02为研磨料的抛光液，不同类型的抛光液由于其各自优缺点，分别在半 导体工业不同领域得到应用，各自所占市场比例及变化也有所不刚41，二氧化 硅基抛光液占据者市场的主导。且随着薄膜的薄化，铜互连及low．K介质材料 的应用，低损伤、低应力抛光的发展，胶体二氧化硅基抛光液正逐渐成为抛光 液的主流。 抛光液是CMP过程中最关键的消耗品，约占CMPSE艺总成本的40％，是半 导体公司比较关注的领域。随着ICSfJ程特征尺寸的不断减少，对半导体材料表 ’基金项目：本课题受中国科学院资助项目(Y2005027)、上海市科委项目(0452nm0 12，04DZ05612，04ZRl4154． 04JCl4080，AM0414，0552nm043，05R214156，05JCl4076，AM0517)资助。 zhanOd@maU．sire．∽．cn或kailiang_zhang@yahoo．corn．cn ·152· CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究 面平坦化的要求已达纳米范畴，而且抗机械能力稍差的low．K材料的使用迫使 CMP过程在低压下进行，抛光速率与压力的关系使得抛光效率大大降低。为弥 补降低压力造成的效率部分，通常希望将研磨料粒径适当增大，在不造成损伤 的前提下，提高抛光效率。为此大粒径胶体二氧化硅研磨料的研究被提上日程， 国内的胶体二氧化硅研磨料主要集中在1020nm，少数产品己达40～60nm， 而半导体工艺需要的是80120nm的大粒径胶体二氧化硅研磨料，进而限制了 我国相应抛光液的开发。近年来，张楷亮p~1叫等开展了大粒径研磨料及抛光液 相关研究。本文采用水玻璃离子交换一分水控制工艺研究了胶体二氧化硅研磨 料的制备及性能，分别制得了大粒径胶体二氧化硅研磨料，并通过纯化工艺实 现了超纯胶体二氧化硅研磨料的制各。 2实验部分 2．1 实验原料 实验过程中用到的主要原料：水玻璃、硅酸乙酯、KOH、羟乙基乙二胺、 HCI、氨水等，除水玻璃外，均为化学纯试剂。 2．2制备工艺 水玻璃离子交换．分水控制工艺：通过多次离子交换获得高纯硅酸，首先在 碱性条件下制备出均匀的母液颗粒，再依次按照计算设计量加入母液和高纯硅 酸，通过粒径生长制备大粒径胶体二氧化硅研磨料，最后通过陈化和纯化制得 所需的胶体二氧化硅研磨料，具体制备工艺参见文献p～ol。 2．3表征和测试手段 粒径