水溶液中电化学沉积GaSb相变存储薄膜.pdfVIP

第20卷 第 2期 电化学 VO1．20 N0．2 2014年 4月 JOURNALOFELECTROCHEMISTRY Apr．2014 DOI：10．13208j／．electrochem．130322 ArticalID：1006-—3471(2014)02--0134·0·5 Citethis： Electrochem．2014，20(2)：134—138 Http：／／electrochem．xml1．edu．cn 水溶液中电化学沉积 GaSb相变存储薄膜 熊钰林，潘元春，萨百晟，周 健 ，孙志梅 (厦门大学材料学院材料科学与工程系，福建 厦门361005) 摘要 ：利用恒电位共沉积技术和热处理的方法成功制备了GaSb薄膜，探索了添加乙二醇溶剂对薄膜结晶性和 形貌的影响．采用循环伏安法初步研究了共沉积GaSb的机理，并用x一射线衍射技术 (XRD)、扫描电子显微技术 (SEM)和能谱分析 (EDS)表征、观察样品．研究表明，在沉积过程中，SbO 先还原成 sb单质，再诱导 Ga3发生共 沉积；沉积电位对薄膜的结晶性、微观形貌和成分有显著影响；电解液加入乙二醇更利于在较高的正电位下直接 沉积出GaSb，且有效地提高了薄膜的结晶度，改善了薄膜的微观形貌． 关键词 ：GaSb薄膜；电化学共沉积；乙二醇 中图分类号 ：O612．3 文献标识码：A 1971年 Ovshinsky首次报道 [1j硫族合金薄膜 地电沉积出GaSb，即在强酸性溶液中将 sb单质沉 可作为相变光学数据存储．实用相变存储材料应具 积至镀镍 的铜基片，而后在强碱性溶液 中将 Ga单 备结晶化时间短、结晶化温度高、非晶态与晶态之 质沉积于 Sb层上 ，经一定条件 的热处理 ．即可得 间电阻差异大等特点 ，主要有 GaSbf21、GeTe3[]、 到GaSb薄膜．McChesney等 在Ga2(SO4)3或GaC13 GeSbt41、SbTe[和 GeSbTe[6]．GaSb对用 于光盘 的 和 SbC1酸性溶液中(pH1)将 GaSb一步电沉积 780ilm波长的激光有很好的吸收性，1987年曾首 于 ITO导电玻璃衬底，此沉积过程严重析氢和析 次作为一次性光学存储的记录介质嗍．GaSb是一 sb ，导致薄膜脱落，其微观形貌多孔疏松和结晶 种热稳定性好、晶化速率大的相变存储材料 ，具有 性较差．本文用恒电位共沉积技术和热处理方法制 ZnS面心立方晶体结构，晶格常数a=0．6095nm 得GaSb和 sb的薄膜，在 电解液中加入乙二醇可 (JCPDF07．0215)，熔点高达 711．7oct．结晶化时间 改善薄膜质量，以期制得高性能GaSb薄膜． 短f15ns)t． 目前，GaSb薄膜的主要制备方法有磁控溅射 1 实 验 法 【、液相外延法 (LPE)]、金属有机气相沉积法 1．1 电解液配制 (MOCVD)t、分子束外延法 (MBE)t3】和金属有机 溶液 由超纯水 (18．2Mn ·cm，Milli—Q，Milli— 物气相外延法(MOVPE)t．这些方法都不同程度地 poreCo．)配制，试剂为分析纯．a、a、a电解液 以 存在着实验条件苛刻、工艺复杂、反应时间长的问 1000mL超纯水为溶剂 ，b电解液 以200m