从晶体生长机理分析晶须制备可控性研究.pdfVIP

中国颗粒学会2006年年会暨海蛱两岸颗粒技木研讨会 从晶体生长机理分析晶须制备的可控性研究 郝保红1’2，方克明2 (1北京石油化工学院机械工程系．北京1026171 2．北京科技大学冶金学院，北京ioeos3) 摘要：晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系． 从晶体生长的基本过程及晶体生长机理，揭示晶须生长的可控性，是晶须研究的发展方向，也是使晶体生长过程实现 可视化实验技术的最终目标． 关键词：晶体结构；晶须；扩散成核 1前言 2．2成核控制机理 在晶体生长过程中，成核控制远不如扩散控制那么 自从1669年丹麦学者斯蒂诺(N．Steno)[”开始晶体 常见．但对于很小的晶体，可能不存在位错或其它缺陷， 生长理论的启蒙工作以来，晶体生长理论研究获得了很 生长是由分子或离子一层一层地沉积而得以实施，各层 大的发展，形成了包括晶体成核理论、输运理论、界面 均由离子、分子或低聚合度的基团沉积所成的“排”所 稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系． 组成，因此，对于成核控制的晶体生长，成核速率可看 这些理论在某些晶体生长实践中得到了应用，起了一定 作是晶体生长速率．当晶体的某一层长到足够大且达到 的指导作用． 一定边界时，由于来自溶液中的离子在完整表面上不能 晶体生长机理是研究金属材料的基础，它本质上就 找到有效吸附点而使晶体的生长停止，对于单个表面晶 是理解晶体内部结构、缺陷、生长条件和晶体形态之间 核和溶液之间达成的不稳定状态． 的关系．通过改变生长条件来控制晶体内部缺陷的形 2．3位错控制机理 成，从而改善和提高晶体的质量和性能，使材料的强度 当溶液的饱和比小于2时，表面成核速率极低，如 大大增强，开发材料的使用潜能． 果每个表面晶核只能形成一个分子层，则晶体生长的实 现在，晶体生长研究已从一种纯工艺性研究逐步发 际速率只能是零．事实上，很多实验表明，即使在S=I．01 展形成晶体制各技术研究和晶体生长理论研究两个主 的低饱和比条件下，晶体都能很容易地进行生长，这不 要方向．两者相互渗透，相互促进．晶体制备技术研究 为晶体生长理论研究提供了丰富的对象；而晶体生长理 种情况下晶体的生长是由于表面绕着一个螺旋位错进 论研究又力图从本质上揭示晶体生长的基本规律，进而 行的缠绕生长，螺旋生长的势能可能要比表面成核生长 指导晶体制备技术研究． 的势能大，但是，表面成核一旦达到层的边界就会失去 活性，而螺旋位错生长却可生长出成百万的层．由于层 2晶体生长的基本过程及机理 错过程中，原子面位移距离不同，可产生不同类型的台 晶体生长理论研究，本质上就是完整理解不同晶体 阶(如图1)． 其内部结构、缺陷、生长条件和晶体形态四者之间的关 系．搞清楚这四者之间的关系，就可以在制备实验中预 测具有特定晶体结构的晶体在不同生长条件下的生长 形态，通过改变生长条件来控制晶体内部缺陷的生成， 改善和提高晶体的质量和性能．晶体生长机理一般分为 如下几种． 2．1扩散控制机理 从溶液相中生长出晶体，首要的问题是溶质必须从 过饱和溶液中运送到晶体表面，并按照晶体结构重捧． 纛纛 若这种运送受速率控制，则扩散和对流