ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化.pdfVIP

　第 25 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 25, . 12 V o l N o 　2004 年 12 月 . , 2004 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec UL SI 铜多层布线中钽阻挡层 CM P 抛光液的研究与优化 邢　哲　刘玉岭　檀柏梅　王　新　李薇薇 (河北工业大学微电子研究所, 天津　300130) 摘要: 以高浓度纳米SiO 水溶胶为磨料, H O 为氧化剂的碱性抛光液, 研究了适用于终抛铜钽的 CM P 抛光液. 2 2 2 通过调节pH 值, 降低抛光液的氧化, 增强有机碱的作用, 来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率, 得到了很好的 铜钽抛光选择性. 关键词: 多层布线; 化学机械抛光; 阻挡层; 抛光液; 选择性 EEACC: 2220; 2550F ; 8620 中图分类号: TN 3052　　　文献标识码: A 　　　文章编号: (2004) 光技术. 由于钽是一种质地很硬的金属, 氧化后难以 1　前言 CM P 去除, 钽在氧化剂存在下常产生难溶的产物, 抛光速率很慢, 与铜 CM P 最终难以同步而出现碟 随着UL S I 特征尺寸的进一步减小, 布线层数 形坑; 另外, 对钽的 CM P 通常使用酸性介质抛光 增加, 宽度也随之变细. 由于铝自身的性质, 导致传 液, 这样易对抛光设备产生腐蚀, 增加金属离子沾 统铝布线工艺制作的器件经常会因铝的电迁移而失 污. 如何选择与铜布线同步且工艺相容、对抛光设备 效. 而铜的多层布线恰恰能避免这一问题的出现, 因 有钝化作用的抛光液, 成为铜布线技术另一个需要 ( ) 此在深亚微米工艺中 018m 及以下 , 铜将逐步 解决的关键问题. 碱性条件下抛光设备表面被钝化, 代替铝成为硅片上多层布线的材料. 现在, 普遍认 可避免抛光液对设备的腐蚀, 减小了金属离子沾污. 为, 对于最小特征尺寸在 035m 及以下的器件, 必 为此我们采用以 15～ 20nm 粒径硅溶胶为磨料的碱 须进行全局平面化, 而化学机械抛光(CM P ) 是最好 性抛光液, 以 2 2 为氧化剂来进一步减少金属离 H O 的也是惟一的全局平面化技术. 子的引入. 铜与介质层的粘结性差, 易扩散进入硅与二氧 化硅, 并且在较低的温度下就会形成铜与硅的化合